亮点展品 | 从光交换到纳米光刻：九维光子相变光子技术亮相CIOE 2026

2026年9月9-11日，九维光子将亮相CIOE中国国际光电博览会6号馆6D130展位，携相变全光交换机、相变OCS光子芯片晶圆及相变激光直写设备HDL-A100集中参展，全方位展示相变光子技术在AI算力光互连与超分辨微纳制造领域的创新成果。

作为一家专注于相变光子技术研发与产业化的高科技企业，九维光子依托自主研发的相变材料技术，持续推进材料、工艺、芯片、系统与装备的协同创新，为AI算力网络提供新型光连接方案，并探索先进纳米光刻设备的国产化技术路径。，前往参观、交流及业务洽谈！

核心展品

本次CIOE中国光博会，九维光子将全面展示相变光子技术在OCS光交换与相变热敏光刻两大方向的研发进展。

相变OCS全光交换产品

产品1：相变OCS光子芯片晶圆

产品2：相变OCS光子芯片

产品3：相变全光交换机

本产品基于自主相变材料技术，设备通过材料状态调控实现光路直接连接，减少传统网络中的电子处理和光电转换（OEO），实现高效的全光数据传输。凭借非易失状态保持、低功耗切换和高集成潜力，相变OCS能够显著提升大规模GPU集群的网络效率，为未来AI算力基础设施提供可扩展的光连接能力。

目前已完成8×8、16×16 OCS芯片流片，片上指标行业领先，打破国外技术垄断，填补国内高性能相变OCS芯片领域空白。该技术已被2026九峰山论坛列为"化合物半导体产业十大颠覆性新技术"之一。

产品优势：

基于相变材料状态记忆特性，实现光交换状态长期保持，降低持续能耗需求。

纳秒级切换速度，AI训练迭代间隙完成拓扑无缝切换

突破传统电交换带宽扩展限制，支持大规模AI算力网络演进

支持CPO、GPU直连等新型光互连架构，实现灵活部署

支持单片高密度集成，利于阵列小型化与规模制造

实现动态流量管理、GPU动态网络拓扑、监控梯度同步等。

应用场景：应用于AI光交换、ATE光交换、8K显示光交换等场景。

相变激光直写设备

相变激光直写设备 HDL-A100

本产品是九维光子自主研发的相变激光直写光刻设备，基于热敏相变材料的阈值型非线性相变机制，通过精确调控光场能量分布，使相变响应区域自发收缩至高斯光斑中心的纳米尺度范围。系统采用国产紫外超快激光光源，可实现突破光学衍射极限的超分辨图形写入，以及约100nm线宽的高精度直写加工。

产品优势：

使用355nm光源即可实现100nm线宽

兼顾微结构与纳米结构制造能力，实现连续尺度加工

无需掩模版，缩短研发与工艺迭代周期

支持复杂多层微纳结构高精度对准加工

复杂表面环境下保持稳定曝光与高加工一致性测量。

开放式工艺环境运行，降低先进光刻工艺使用门槛

应用场景：光子芯片、量子芯片、超表面。

关于九维光子

九维光子科技有限公司创立于2024年，核心团队在光子芯片与光电子系统领域拥有数十年研发与产业化经验，技术能力贯通底层材料机理研究、光子器件设计、芯片架构开发到系统集成与工程化量产全链条，全面覆盖材料、工艺、芯片、系统四大关键环节。

公司依托自研相变材料核心技术基石与前沿创新理念，聚焦基于相变材料的下一代智能光子芯片、先进纳米光刻设备的研发、生产与商业化，既助力全球数字化转型与AI光互连升级，提升数据处理速度和能效，更全力推进纳米光刻核心设备国产化进程，用科技突破打破行业壁垒。

CIOE光电子创新展重点展示科研院所，高等院校和高新技术企业的前沿光电创新产品及技术，集中展示其孵化企业最新产品，帮助光电企业及投融资机构精准对接科研院所资源，进行商贸沟通达成商业合作，获悉前沿应用、洞察新兴趋势。

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