充电头网近期了解到，辉芒微推出FT836CXX系列PSR合封SiC电源芯片，面向24W至36W中小功率适配器应用。

该系列将原边反馈控制、驱动电路与800V碳化硅功率器件集成于单颗芯片中，可简化外围电路和PCB设计，为路由器、机顶盒、交换机及PoE电源等产品提供高集成度电源方案。

辉芒微FT836CXX PSR合封SiC系列

辉芒微FT836CXX系列采用原边反馈架构，内部集成800V SiC功率开关，并将控制器、驱动电路与高压功率器件整合至SOP8封装中。

相比传统分立式方案，可省去光耦、TL431以及外置功率管相关驱动器件，减少外围元件数量，同时简化PCB布局。

对于24W至36W适配器而言，集成度提升不仅能够减少BOM，也有利于缩小电源板面积。

FT836CXX系列支持90-264Vac宽电压输入，并采用高频准谐振工作方式，可搭配尺寸更小的EE系列变压器，进一步压缩磁性器件和整机体积。

得益于内置800V SiC功率器件的低损耗特性，在相同功率和满载工况下，该系列方案可降低整机温升，并为小型化外壳设计提供更大的热设计空间。对于路由器、机顶盒、交换机等需要长时间连续工作的设备而言，更低的运行温升也有助于提升整机可靠性。

FT836CXX系列同时支持±5%精度的恒压、恒流输出，并集成输出线缆压降补偿功能，可改善长线应用下的输出电压表现。芯片内部还集成UVLO欠压锁定、VCC过压保护、逐周期限流、短路保护、过温保护以及输出过压保护等功能，覆盖适配器常见异常工况。

目前，FT836CXX系列包括FT836CD1B、FT836CE1B、FT836CJ1B等型号，均采用SOP8封装。

其中1脚至4脚分别为VCC、GND、FB和CS，5至8脚为内部高压功率开关SW端，便于工程师进行不同功率段方案开发。

此外，这次辉芒微还带来了FT836CD1B搭配FT8372的12V 2A参考方案。该方案面向24W输出，可在传统18W适配器尺寸基础上实现更高输出功率。

实测结果显示，在12V 2A输出条件下，90Vac/60Hz输入时输出纹波为116mV，230Vac/50Hz输入时为52mV。

该方案在90Vac和264Vac输入条件下均可稳定维持12V输出，过流保护点约为2.4～2.5A。

充电头网总结

辉芒微FT836CXX系列将PSR控制、驱动和800V SiC功率器件合封在一颗芯片中，通过更高集成度降低外围复杂度，同时借助SiC器件改善效率和温升表现。

对于24W至36W路由器电源、机顶盒电源、交换机及PoE适配器等应用，这类方案能够兼顾体积、成本和可靠性，也让碳化硅器件进一步进入传统中小功率消费电源市场。

特别是当前SiC正从高功率应用逐渐下探向更广泛功率段，控制器与功率器件合封有望成为中小功率适配器提升功率密度的一条重要技术路线。