为何TGV玻璃基板封装成为下一代AI先进封装核心趋势？
AI算力爆发推动先进封装技术快速迭代，后摩尔时代半导体封装持续升级。联电（UMC）重点布局RDL重布线层、玻璃载板贴合、超薄玻璃基板薄化核心制程，是2.5D/3D异构集成封装中，决定AI芯片封装良率、运行可靠度与产品稳定性的关键，也是玻璃基板封装商业化落地的核心技术壁垒。
伴随AI大模型、高性能计算HPC、AI服务器算力需求井喷，联电在稳固硅中间层封装制程产能的同时，全力布局下一代TGV玻璃通孔封装技术，精准抢占AI芯片、HBM高带宽内存、高端算力芯片的先进封装市场商机。
TGV并非单一工艺，而是一套完整的玻璃基先进封装制程体系，涵盖玻璃基板加工、RDL重布线、载板贴合、基板薄化、后端封装等全流程。联电采取差异化布局，避开行业扎堆的前段穿孔、镀铜填孔工艺，聚焦TGV成孔后的核心整合制程，包含Front-side RDL、Temporary Bond暂时贴合、Grinding精密研磨、CMP化学机械研磨等关键技术，是提升玻璃基AI封装良率的核心环节。
相较传统硅中间层，TGV玻璃基板封装具备低信号损耗、高平坦度、尺寸稳定性强等优势，适配高频高速传输与大尺寸芯片异构集成需求，是业内公认的下一代AI芯片先进封装主流方向。目前该技术正快速应用于AI GPU、HBM高带宽内存、AI服务器、高性能计算等场景，逐步替代传统封装方案。
联电深耕的RDL、载板贴合、基板薄化核心制程，是玻璃基板切入高端AI封装的必备工艺，直接决定封装成品质量与使用寿命。随着相关制程布局落地，联电将卡位全球玻璃基板先进封装核心供应链，依托AI封装技术迭代，拓展特殊制程业务版图，为传统成熟晶圆代工打造全新增长曲线。
AI需求热潮下联电产能如何布局扩产规划？
全球AI服务器、算力芯片需求持续爆发，带动成熟特殊制程订单爆满、产能供不应求。联电持续研判全球客户中长期需求，启动全球化产能升级，中国台湾、新加坡、日本三大生产基地均预留扩容空间，将依据市场需求稳步推进产能扩充与布局优化。
依托本轮AI产业红利，联电持续深化与美系半导体大厂合作，业务从传统成熟制程代工，升级为前段晶圆制造+先进封装一体化整合服务。在高通、英特尔持续加单的同时，联电抢抓AI硬件刚需红利，电源管理芯片PMIC代工订单火爆，产能利用率持续高位。
为承接海量AI供应链订单，联电推进台南科学园区12AP7厂区扩建方案，最大可新增月产能5万片晶圆，主打55纳米、65纳米及以上特殊制程，聚焦DTC直接键合、硅中间层、TGV玻璃通孔封装、硅光子等AI核心应用。厂区规划多套扩建方案，同步预留P8厂区发展空间，精准匹配AI服务器与高性能计算的先进封装增量需求。
联电与国际大厂达成哪些核心技术合作布局？
生态合作层面，联电深度融入高通AI数据中心及边缘运算生态体系，可为客户提供硅中间层制备、DTC直接键合、晶圆对晶圆混合键合等一站式整合制造方案，适配高通高端AI芯片与边缘算力芯片的封装制造需求。
联电与英特尔采用联合研发模式，共同打造12纳米FinFET鳍式场效晶体管制程平台，锁定WiFi射频、物联网IoT、网通设备、通讯基建等应用场景。项目整合英特尔美国亚利桑那州制造资源与联电成熟制程量产优势，预计2026年交付制程设计套件，2027年实现规模化量产。
在存储封装领域，联电与晟碟合作聚焦Hybrid Bonding混合键合技术，落地新一代无凸块内存堆叠封装架构。该技术可实现晶圆、晶粒间铜对铜直接互连，具备接点间距小、互连密度高、信号延迟低、功耗低等优势，有效提升内存堆叠的带宽、容量与传输效率，适配AI服务器高带宽内存封装需求。
多维技术赋能能否成为联电未来成长新动能？
联电通过布局硅中间层、DTC直接键合、Hybrid Bonding混合键合、硅光子、TGV玻璃基板封装等核心技术，将成熟晶圆制程优势深度对接AI先进封装供应链。随着12AP7厂区扩产落地、高端制程订单持续放量，联电将持续提升高附加值特殊制程营收占比，突破传统成熟制程增长瓶颈，成为企业未来营运增长的核心新动能，稳固其在全球AI先进封装领域的核心竞争地位。
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