外媒报道指出,三星电子正将超过60% 的V-NAND(垂直堆叠NAND) 产能供应给英伟达,用于后者即将铺量的AI 服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。单套CMX 搭载576 块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV 缓存数据,缓解GPU HBM 外溢瓶颈。
韩媒《Sedaily》周一(20 日) 报道指出,业界人士估算CMX 带动的NAND 需求将从2026 年的3500 万TB,激增至2027 年的1 亿TB 以上,三星2026 年NAND 总产量约2.5 亿TB,凭借月产超10 万片晶圆的规模,目标成为英伟达CMX 核心供应商。
产线端,三星V-NAND 产能结构快速向先进代际倾斜:V9(286 层) 占比约60%、良率站稳80% 以上,进入量产稳定期,V8 占比压至40% 以下,V10(400 层) 上半年已量产,堆叠约400 层、存储密度较V9 提升50%,可在同体积CMX 模块内塞入更高容量SSD,面向CMX 优化的V11 已启动研发,目标最高500 层,下半年试产规模预计翻倍。
分析指出,AI 服务器从“拼GPU 算力”延伸到“拼上下文存储”,让NAND 从周期性商品转为算力基础设施一环。
三星绑定英伟达CMX,既消化先进产能,也加剧消费级SSD 供给收缩与价格上行压力。随着V10/V11 接棒,2027 年后AI 数据中心NAND 采购格局将进一步向主要大厂集中。
原文链接:
https://news.cnyes.com/news/id/6542366
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