三星,规划部署50台晶圆新设备

全球半导体观察 2026-07-23 13:26


随着下一代高带宽内存(HBM)技术持续推进,混合键合商业化进程备受行业关注。


据The Elec援引供应链消息,三星电子计划在平泽园区新建大规模产线,规划部署约50台芯片到晶圆(D2W)混合键合设备,支撑下一代HBM与逻辑芯片制造,设备交付与安装工作预计从2026年底启动。


然而,设备部署与实际量产之间仍存在时间差。尽管产线建设启动,三星内部评估,混合键合大规模量产大致落在2030年前后;《周刊邮报》也提到,三星目标在2029年实现混合键合全面量产。基于混合键合技术打造的新一代HBM,有望配套英伟达下一代AI GPU Feynman落地。行业消息显示,Rubin Ultra GPU预计搭载HBM4E,后续Feynman架构大概率采用HBM5或是定制化HBM方案。


设备采购层面,荷兰后端设备厂商BESI是三星D2W混合键合设备首选合作方,但订单尚未敲定,双方仍围绕三星提出的设备定制修改需求持续谈判。BESI单台混合键合设备价格约60亿韩元(折合430万美元),约为竞品两倍,高昂造价拉长协商周期。BESI同时供货台积电、美光,不愿仅为三星单独更改设备架构,这进一步延缓了采购进程。


在锁定BESI作为优先供应商的同时,三星同步评估本土厂商作为备选方案。旗下半导体设备子公司SEMES已参与竞标,其D2W混合键合设备通过三星资质验证;此外,韩华机械精密(Hanwha Semitech)也进入候选名单。


混合键合将成为三星定制化HBM(cHBM)的核心支撑技术。三星计划用搭载客户计算IP的逻辑芯片替代cHBM底层的基础裸片(Base Die),以兼容外部CPU、GPU并优化数据传输效率,目标实现HBM DRAM层直接堆叠在逻辑芯片之上的3D系统级封装(SiP)架构。


此外,三星晶圆代工上月推出基于混合键合的新一代3D垂直堆叠方案3D Cube-H,面向AI芯片与高性能计算场景,相较现有封装方案能够实现更高带宽、更优能效,目前正向客户推广该项异构集成技术。



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