三星扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局

继在DRAM、高带宽内存（HBM）和晶圆代工领域建立合作关系后，三星电子正将与英伟达（NVIDIA）的合作拓展至NAND闪存供应领域。

凭借强大的产能，三星已确认将扩大对英伟达的旗舰级第九代V-NAND（V9）闪存供应，同时开始量产并供应其第十代（V10）闪存产品。此外，三星还在加速研发500层级的第十一代（V11）闪存产品。

据《首尔经济日报》引述业内人士消息，三星电子已建成每月超10万片晶圆的V-NAND产能，并正在大规模生产其第九代V9产品，以供应给英伟达。报道进一步强调，三星已将约60%的V-NAND产能分配给V9，使其成为目前的旗舰级主力供应产品。

三星电子之所以加速扩大V9产能，主要是为了应对英伟达即将推出的新型存储平台CMX（Context Memory Storage）所带来的强劲需求。

据了解，英伟达的CMX可配备多达576块固态硬盘，总存储容量达9600TB。业界预计，CMX对NAND闪存的需求将从今年的3500万TB飙升至明年的1亿TB以上。三星电子今年的NAND闪存预计年产能可达约2.5亿TB，凭借其全球领先的产能规模，该公司旨在成为英伟达CMX的关键供应商。

报道指出，三星电子V9 NAND闪存的良率已提升至80%以上，全面进入量产稳定期。

此外，三星也在加速下一代V-NAND产品的迭代。该公司于今年上半年正式启动V10的生产，目前其产量占V-NAND总产量的比例不足5%。同时，三星已开始试产目标层数在400至500层之间的V11超高堆叠闪存。