三星电子正在重组其生产线，以扩大其先进的DRAM产能。该公司近期完成了位于华城老旧NAND工厂的停产和设备搬迁工作。预计这将有助于DRAM出货量在今年下半年实现增长。
据业内人士7月28日透露，三星电子本月已进入华城12号生产线“末端工厂”的运营准备阶段。
华城12号生产线此前一直用于大规模生产现有的2D NAND闪存。2D NAND是一种较老的存储器类型，在业内被视为小众产品，三星电子此前已决定在今年停止该产品的出货。
为此，三星电子于去年年中决定对华城12号生产线进行改造投资。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺（BEOL）。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM，包括1b（第五代10nm工艺）和1c（第六代10nm工艺）DRAM。
生产线改造工作于去年下半年启动，据报道已于本月完成。预计后端工艺最早将于今年下半年投入使用。
一位半导体行业人士解释说：“三星电子一直在逐步改造华城12号生产线内的设备，本月2D NAND闪存的产能已降至零。” 他补充道：“由于该生产线已于本月进入生命周期结束（EOL）阶段，因此有望在今年下半年与15号生产线协同使用。”
华城12号生产线的改造预计将加速三星电子DRAM产能的扩张。现有的华城12号生产线2D NAND闪存月产能约为10万片晶圆，人们普遍预期改造为终端晶圆厂后，DRAM产能将显著提升。
后端工艺是将晶体管等已成型的组件通过金属导线连接起来的过程。它对应于前端工艺的最后一个阶段。通常，后端工艺比前端工艺耗时更长，因此建立独立的生产线可以缓解整个前端工艺中的瓶颈。
目前，半导体行业正面临尖端DRAM严重供应短缺的问题。这是因为全球大型科技公司加大对人工智能（AI）基础设施的投资，导致服务器DRAM和高带宽内存（HBM）等高价值存储器的需求激增。近期，随着边缘AI产业的发展，对低功耗低密度内存（LPDDR）的需求也随之增长。
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