三星GaN代工试产遇阻，高温失效或致量产再延期

【区角快讯】当半导体巨头在第三代材料赛道上加速冲刺时，良率与可靠性往往成为最隐蔽的拦路虎。据快科技7月31日披露，三星电子位于龙仁的8英寸氮化镓（GaN）代工专线，在试生产阶段遭遇了棘手的技术瓶颈。部分芯片在经历约1000小时、100至200摄氏度的高温环境测试后，出现了停止工作的异常现象。这一结果直接冲击了原定于年内实现量产的目标，使得时间表面临再度推迟的风险。

作为化合物半导体的代表，GaN凭借耐高压、耐高温的特性，被广泛视为电动车充电模块、AI服务器供电以及机器人动力系统的核心组件。三星为此建立的这条专线，月产能规划在1300至1500片晶圆之间，旨在为各类芯片设计公司提供代工服务。然而，业内分析指出，为了追求极致的性能指标，三星对制造工艺进行了特定调整，这或许是以牺牲长期稳定性为代价的。具体而言，GaN芯片通常需要维持2至3伏特的阈值电压，若该数值偏低，即便在微弱电流下也可能引发逻辑错误，导致器件失效。

对于电动车和数据中心这类对稳定性要求极高的应用场景，高温下的突发故障无疑是致命的。回顾时间线，三星最初计划于2025年投产该专线，随后已延后至2026年底，此次质量风波可能导致量产节点进一步滞后数月。相比之下，英飞凌、ST、德州仪器及英诺赛科等竞争对手早已实现GaN芯片的商业化销售长达一两年，三星在进度上明显处于追赶状态。

值得注意的是，由于GaN半导体的掩模成本显著低于传统硅芯片，客户切换代工厂的经济门槛相对较低。据悉，部分原本意向合作的芯片设计公司，已开始将目光转向格芯、力积电以及X-FAB等其他代工选项。面对外界质疑，三星方面回应称，目前项目仍处于开发验证阶段，尚不能简单地将试产中的问题定义为不良品。但从行业竞争格局来看，留给三星解决工艺可靠性的窗口期正在收窄。