全球最大芯片工厂Terafab:自建粒子加速器EUV光源,全天然气发电

电子发烧友网Elecfans 2026-08-12 07:00
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)马斯克在今年3月正式宣布启动Terafab超级芯片工厂项目,整合了晶圆厂、封测、设计和光罩制造等在同一园区,实现极致的垂直整合,计划为SpaceX和特斯拉提供所需的算力、存储芯片。

全球最大芯片工厂Terafab:自建粒子加速器EUV光源,全天然气发电图1
Terafab超级芯片工厂效果图,来源:SpaceX.com
在上周四8月6日,特斯拉和SpaceX官宣,Terafab将在美国得克萨斯州格莱姆斯县建设。马斯克称追求将其打造成一座科幻城市,规划建筑面积超过1亿平方英尺(约930万平方米),首期投资168亿美元,远期总投资可能高达1190亿美元。

虽然刚刚动工建设,但从目前曝光的消息来看,Terafab相比普通晶圆厂有不少差异或是“创新点”,包括近期透露的能源以及光刻光源方面的选择。

独立于公共电网,完全采用天然气发电

作为一个极致垂直整合的芯片制造工厂,用电量规模相比传统的晶圆厂更为庞大。对于晶圆厂而言,对于能源供应的需求,一方面是用电量巨大,一座先进制程的逻辑晶圆厂,连续用电功率可能达到200MW至600 MW。尤其现有EUV光刻机本身LPP光源效率极低,进一步推高了电力需求。

另一方面,是供电的可靠性和高质量,哪怕短暂的电压波动或停电,都可能导致整批晶圆报废,损失可达千万元甚至以亿元计。现有的晶圆厂几乎都依赖于公共电网,但在工厂内部构建了多层的冗余。

首先从外部电网中,引入多路的独立输电线路,防止单一线路故障导致停电;另外在工厂内部通过UPS、柴油/燃气轮机发电机、储能系统等,在电网长时间停电时可通过部分自主供电维持工厂运转。

虽然马斯克已经在社交媒体上透露,Terafab将采用FEL(自由电子激光)作为EUV光刻机的光源,效率相比现有的LPP(激光等离子体)光源要高得多,但供电依然是一个严峻的考验。

从美国多家科技巨头部署AI数据中心的阻碍也能够看出,当前由于AI数据中心用电量激增,对公共电网带来了巨大的冲击,从电价到电网基础设施,都已经无法满足AI数据中心的需求。

而Terafab选择的是,完全采用天然气发电。纵观马斯克旗下企业近两年的能源布局,从2024年起,xAI位于孟菲斯的Colossus数据中心几乎完全依赖燃气轮机运行。不过,其中27台未取得许可的涡轮机因每年排放超1700吨氮氧化物和19吨甲醛,遭到NAACP等环保组织联合起诉。

今年7月,马斯克个人以约10亿美元收购燃气轮机企业APR Energy,一举获得超过1吉瓦的发电能力。SpaceX另行承诺投入28亿美元采购燃气轮机。如今Terafab的自建天然气电厂,是这条链条上的最新一环。

Terafab工厂选址在已退役的燃煤电厂旧址,附近有现成基础设施,比如有水库用于冷却/循环用水。因此自建气电可以快速落地,匹配工厂建设进度。

看起来这一切都很符合常规,但这件事中引起争议的点是,近期特斯拉正在公开推销其“太阳能加储能”作为AI用电的解决方案。今年6月,特斯拉与Sunrun推出规模达16吉瓦的虚拟电厂,直接将数据中心列为目标客户。xAI今年早些时候还花费2.69亿美元采购特斯拉Megapack储能设备。

当然,从太阳能的能源稳定性来看,并不符合芯片制造的需求。太阳能是间歇性能源,即便搭配电池储能,也无法保证全天候不间断供电。在吉瓦级负荷下,用电池存储足够夜间使用的太阳能,无论成本还是工程量都不现实。天然气电厂则可以全天候稳定输出,配合电池做调峰和瞬时备份,形成可靠的供电组合。

需要再次强调的是,Terafab并不是唯一采用天然气发电的“巨型项目”。Google、Meta、微软近期都在推进同类天然气电厂项目,得州已有超过70吉瓦的“自带电力”数据中心容量在规划中。

当AI算力竞赛的建设速度远超电网扩容速度,天然气成为全行业不约而同的选择。同时在当前政治气候下,天然气电厂在美国面临的监管阻力被大幅降低,这对急于投产的企业无疑是有利窗口。

要在芯片工厂中造一个粒子加速器?

在马斯克此前发布的Terafab工厂渲染图中,工厂中央出现了一个巨大的圆环结构,有网友发现了这点,指出这可能是一台粒子加速器。

全球最大芯片工厂Terafab:自建粒子加速器EUV光源,全天然气发电图2
随后,马斯克回应“FEL FTW”(Free Electron Laser For The Win),也就是“自由电子激光器,必胜!”。这也意味着Terafab确认了其EUV光刻机光源将采用FEL,而不是现有ASML所采用的LPP光源。

现有LPP光源是通过高功率CO₂激光反复轰击锡微滴,产生等离子体后发出13.5 nm附近波长的EUV光。

自由电子激光的核心思路,是让“自由的电子”自己发光。工作步骤大概是,首先用电子枪把电子从原子中剥离,形成自由电子束;通过足够长度的粒子加速器,将电子加速到接近光速;让高速电子穿过一段由交替排列磁铁组成的“波动器”;磁场迫使电子做波浪形运动,电子在运动过程中辐射出电磁波;当电子束与自身辐射的光发生相互作用后,会形成相干放大,最终输出高强度、高纯度的激光。

而这种激光器的优势是,通过调节电子能量和磁铁间距,FEL可以精确控制输出波长。对芯片制造而言,它可以直接调到13.5纳米的EUV波段,甚至未来可进一步缩短到更短的波长。

更重要的是,虽然FEL肉眼可见占地面积巨大,但由于功率更大、能效更高,一台加速器甚至可以集中供光给超过20台光刻机,甚至还有未来灵活升级的空间。

可以说,LPP就类似于挂壁空调,单机输出功率有限,一个房间需要配备一台;FEL就像中央空调,一台可以满足多个房间需求。

Terafab采用FEL,核心是与其规模有关。在LPP架构下,光源是光刻机的一个内部组件,与整机绑定销售。芯片厂每增加一台光刻机,就要为整套光源系统付费。而在FEL架构下,光源变成了一台“大型中央空调”,先建一座加速器,再通过光路网络分发到各台光刻机。

这种转变对Terafab这种超大规模晶圆厂尤其有利。Terafab规划年产1太瓦算力,需要数十台光刻机满负荷运转。在LPP架构下,这意味着数十套昂贵光源系统的采购和维护成本;在FEL架构下,只需一座加速器就能覆盖全部需求,边际成本随光刻机数量增加而递减。

不过,目前FEL还未有真正被用到芯片制造的商业落地案例,实际上目前不单只Terafab,业界还有多家企业和研究机构在尝试这一路线。

比如大连相干光源(DCLS),由中科院大连化学物理研究所与上海应用物理研究所联合建设,是中国第一台自由电子激光用户装置,也是目前全球唯一专门运行在EUV波段(50-150 nm)的FEL设施。不过目前主要用于基础科学研究领域,比如星际化学、大气环境、生物医药等。

另外,美国初创公司xLight则是目前最接近商用的玩家,xLight的原型系统声称已实现1000瓦EUV输出,计划在纽约州Albany NanoTech建设原型机,目标2028年完成验证、2029年推出商用系统。该公司明确表示其FEL光源并非取代ASML设备,而是作为外接模块与现有EUV光刻机整合,每套设施配备两套独立加速器确保冗余。

TAU Systems 同样是正在研发FEL光源,但走的是激光尾场加速(LWFA)驱动的紧凑型FEL路线,强调把加速器缩小到“房间级”甚至集装箱尺寸,而不是传统大型直线加速器或同步加速器。

日本高能加速器研究机构(KEK)正在探索基于能量回收直线加速器(ERL)的FEL-EUV方案,已完成理论验证和部分实验。ERL的特点是回收加速电子的能量用于加速下一批电子,能效更高。

小结

Terafab从整体理念上看非常激进,从能源到光源再到规模,本质上就是对于芯片需求规模的一场对赌。在传统晶圆厂月产数万到十万片晶圆的规模下,LPP架构的分散式光源虽然昂贵但可承受,FEL的集中式优势不足以抵消其初始投资和风险。这就是为什么台积电、三星和Intel没有率先押注FEL,他们的客户需求多元且分散,不需要为一座工厂赌上整个光源路线。

马斯克曾在今年3月的Terafab发布会上表示,“如果你把地球上所有晶圆厂加起来,它们总共只占Terafab项目所需的大约 2%。”这样的规模已经彻底颠覆现有的晶圆厂模式。这条路没有先例,但如果走通了,它改变的不只是Terafab,而是整个半导体产业芯片制造的逻辑都要重新定义。

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