在马斯克此前发布的Terafab工厂渲染图中,工厂中央出现了一个巨大的圆环结构,有网友发现了这点,指出这可能是一台粒子加速器。 随后,马斯克回应“FEL FTW”(Free Electron Laser For The Win),也就是“自由电子激光器,必胜!”。这也意味着Terafab确认了其EUV光刻机光源将采用FEL,而不是现有ASML所采用的LPP光源。 现有LPP光源是通过高功率CO₂激光反复轰击锡微滴,产生等离子体后发出13.5 nm附近波长的EUV光。 自由电子激光的核心思路,是让“自由的电子”自己发光。工作步骤大概是,首先用电子枪把电子从原子中剥离,形成自由电子束;通过足够长度的粒子加速器,将电子加速到接近光速;让高速电子穿过一段由交替排列磁铁组成的“波动器”;磁场迫使电子做波浪形运动,电子在运动过程中辐射出电磁波;当电子束与自身辐射的光发生相互作用后,会形成相干放大,最终输出高强度、高纯度的激光。 而这种激光器的优势是,通过调节电子能量和磁铁间距,FEL可以精确控制输出波长。对芯片制造而言,它可以直接调到13.5纳米的EUV波段,甚至未来可进一步缩短到更短的波长。 更重要的是,虽然FEL肉眼可见占地面积巨大,但由于功率更大、能效更高,一台加速器甚至可以集中供光给超过20台光刻机,甚至还有未来灵活升级的空间。 可以说,LPP就类似于挂壁空调,单机输出功率有限,一个房间需要配备一台;FEL就像中央空调,一台可以满足多个房间需求。 Terafab采用FEL,核心是与其规模有关。在LPP架构下,光源是光刻机的一个内部组件,与整机绑定销售。芯片厂每增加一台光刻机,就要为整套光源系统付费。而在FEL架构下,光源变成了一台“大型中央空调”,先建一座加速器,再通过光路网络分发到各台光刻机。 这种转变对Terafab这种超大规模晶圆厂尤其有利。Terafab规划年产1太瓦算力,需要数十台光刻机满负荷运转。在LPP架构下,这意味着数十套昂贵光源系统的采购和维护成本;在FEL架构下,只需一座加速器就能覆盖全部需求,边际成本随光刻机数量增加而递减。 不过,目前FEL还未有真正被用到芯片制造的商业落地案例,实际上目前不单只Terafab,业界还有多家企业和研究机构在尝试这一路线。 比如大连相干光源(DCLS),由中科院大连化学物理研究所与上海应用物理研究所联合建设,是中国第一台自由电子激光用户装置,也是目前全球唯一专门运行在EUV波段(50-150 nm)的FEL设施。不过目前主要用于基础科学研究领域,比如星际化学、大气环境、生物医药等。 另外,美国初创公司xLight则是目前最接近商用的玩家,xLight的原型系统声称已实现1000瓦EUV输出,计划在纽约州Albany NanoTech建设原型机,目标2028年完成验证、2029年推出商用系统。该公司明确表示其FEL光源并非取代ASML设备,而是作为外接模块与现有EUV光刻机整合,每套设施配备两套独立加速器确保冗余。 TAU Systems 同样是正在研发FEL光源,但走的是激光尾场加速(LWFA)驱动的紧凑型FEL路线,强调把加速器缩小到“房间级”甚至集装箱尺寸,而不是传统大型直线加速器或同步加速器。 日本高能加速器研究机构(KEK)正在探索基于能量回收直线加速器(ERL)的FEL-EUV方案,已完成理论验证和部分实验。ERL的特点是回收加速电子的能量用于加速下一批电子,能效更高。