三星更新工艺路线图

据ZDNet韩国报道，三星晶圆代工在本周举行的2026年下一代光刻+图案化大会（NGL 2026）上公布了其更新后的制造技术路线图，与2024年的路线图相比，此次路线图做出了一些重大调整。三星不会急于将SF1.4节点（1.4nm级）推向市场，而是将在未来三年内专注于完善SF2（2nm级）制造工艺。此外，三星计划从SF1A（1nm级）制造节点开始采用高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻设备，这也是该公司首次确认该计划。

在 2030 年左右过渡到 10 埃（或 1 纳米级）节点之前，三星将改进其 SF2 系列制造技术（包括 SF2P、SF2X、SF2A 和 SF2Z，采用背面供电），并在 2029 年推出其 SF1.4 工艺。

SF1.4的发布时间从2027年推迟到2029年，表明三星正在放慢其尖端产品的研发步伐，以便集中资源提升SF2系列产品的良率和产量，从而增强其商业竞争力。考虑到三星已与特斯拉签署了长期供货协议，将持续供应AI5和AI6处理器至2033年，因此，三星的首要任务是确保其主要客户满意。

SF2 寿命长的另一个原因是该公司据报道计划最终采用 EUV 光掩模薄膜，这改变了三星的常规做法，并可能迫使其重新考虑未来某些节点的工艺配方。

有趣的是，三星的1nm级工艺节点据说将与SF1.4+共存，SF1.4+是SF1.4的增强版，采用了三星不常见的命名方式。这种做法表明，该公司将同时拥有采用高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术的“创新型”1nm级工艺，以及一种基于成熟的低数值孔径（Low-NA）极紫外光刻工艺流程和材料的技术。

尽管三星已购入一台配备0.55数值孔径投影光学系统的ASML Twinscan EXE:5000 EUV光刻扫描仪，并已将其用于研究用途一年多，但该公司并不急于在其2nm级和1.4nm级制造工艺中采用高数值孔径EUV光刻技术。三星计划在2030年左右才将此类设备应用于其1nm级工艺。

三星电子技术副总裁朴昌敏在会上表示：“我们希望将高数值孔径极紫外光刻技术应用于2nm和1.4nm等制程节点的量产，但这项技术仍需进一步改进。我们认为，从A10及以下制程节点开始，高数值孔径极紫外光刻技术将成为必需，我们正在与各合作伙伴开展联合研发。”

对于芯片制造商而言，ASML 高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻机的主要挑战在于其成本远高于目前使用的低数值孔径 (Low-NA) EUV 系统，这会大幅增加晶圆厂的成本，并可能影响芯片的成本。同时，高数值孔径 EUV 扫描仪的曝光区域较小，对于大型芯片而言可能需要进行芯片拼接，这会使设计更加复杂，从而大大削弱了其相对于常规低数值孔径 EUV 系统在减少多重曝光需求方面的性能优势。

此外，高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）需要改进的光刻胶、不同的掩模、薄膜、计量、检测和计算光刻等技术，这仅仅是其中一部分要求。因此，芯片制造商必须权衡何时使用昂贵的高数值孔径极紫外光刻设备进行单次曝光，以及何时可以使用日益成熟的0.33数值孔径极紫外光刻多重曝光技术。例如，英特尔计划在其部分14A技术中使用高数值孔径极紫外光刻设备，而台积电则将高数值孔径极紫外光刻视为2030年代的一项技术。

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