芯片行业第二季度财报，释放出哪些信号？

摩根大通最新研究报告指出，2026年第二季度全球半导体行业盈利数据发出了明确的看涨信号：行业需求强劲程度全面超出三个月前的预期，定价权正经历着实质性的“上游扩散”——价格上涨的影响已从存储芯片蔓延至半导体设备和材料领域。

台积电已将2026年资本支出计划上调至600亿至640亿美元，英特尔上调至200亿美元，SK海力士计划投入40万亿韩元。设备制造商东京电子、Lam Research和应用材料均已上调晶圆厂设备（WFE）市场预期，并通过提价提升毛利率。磷化铟衬底的供需缺口超过30%，AXT等供应商正在加速产能扩张。存储巨头们正通过签订五年长期协议和巨额预付款锁定利润，SanDisk透露，即使按最低价格计算，毛利率仍保持在80%左右。与此同时，英特尔首席执行官陈立武聘请了前 SK 海力士首席执行官李锡熙，采用轻资产架构定义加封装代工模式重返存储器领域，与三星的 IDM 重资产模式形成差异化竞争。

世界领先的芯片制造商正在积极增加资本支出计划，资金主要流向成本较高的前端设备，而后端设备的需求也在同步增长。

台积电已将其2026年资本支出计划上调约15%，从520亿至560亿美元大幅增至600亿至640亿美元，中值较上年同期增长52%。其中，70%至80%将用于先进工艺技术。管理层明确表示，公司正与设备制造商紧密合作，确保设备供应不会成为产能瓶颈。

英特尔已将其2026年全年资本支出从与上年基本持平（约180亿美元）上调至200亿美元，同比增长11%，其中设备资本支出预计将同比增长40%，并预计2027年将进一步大幅增长。其18A节点将于2026年底投入量产，而14A节点计划于2027年下半年进行风险试生产。

SK海力士宣布了2026年资本支出计划，总额达40万亿韩元（约合280亿美元），同比增长45%，并提前启动了M15X的量产计划。三星晶圆代工厂方面，Taylor Fab 1工厂将按计划于2026年投产，并逐步提升2纳米制程的产能；Taylor Fab 2工厂计划于今年破土动工，目标是在2030年实现量产。

与三个月前相比，WFE市场前景更加明朗。设备制造商不仅看到了更大的市场规模，更重要的是，他们通过“基于价值的定价策略”成功地将成本转嫁出去，从而提高了毛利率。

主要设备制造商对WFE市场预测的调整如下：

注：以上预测代表各制造商在 2026 年第二季度财报发布期间的最新指引，反映了业界对 WFE 市场规模的普遍上调预期。

毛利率扩张已成为衡量盈利能力的核心指标。东京电子预计，到2027财年初，其毛利率有望达到50%，而2026年4月至6月期间的毛利率为47%。Lam Research第二季度的毛利率已达到52%，并计划通过高附加值产品实现55%的目标。应用材料公司（AMAT）过去三年的毛利率增长了约300个基点，其半导体系统业务的毛利率已超过55%，这主要归功于其成功的价值定价策略。

摩根大通认为，WFE 市场规模预测的持续上调，加上设备制造商毛利率的实质性改善，意味着半导体设备行业的盈利弹性被系统性地低估了。

在技术材料领域，磷化铟 (InP) 衬底正面临极度短缺。Lumentum 和 Coherent 都表示，市场需求比以往更加强劲，其中 Lumentum 指出，目前的供需缺口超过 30%。由于 InP 衬底供应是最大的制约因素，两家公司都已与 AXT 签署了长期协议。

产能正以数倍速度扩张：JX Advanced Metals计划到2030年将其InP衬底产能扩大7至10倍；AXT的目标是到2026年底实现年产能同比增长3倍，季度销售额达到6000万美元，并在2027年底前进一步扩大2倍以上，销售额超过1.3亿美元。Coherent正在向6英寸衬底过渡，与3英寸晶圆相比，6英寸衬底的产量可提高四倍，同时成本减半并保持高良率。

全球存储芯片制造商正逐步披露长期协议（LTA）的细节。这些协议不仅期限长，而且包含巨额预付款，从而显著降低了价格波动风险。

三星电子已与五家数据中心客户最终签署了长期协议 (LTA)，另有五份协议正在最终谈判阶段。这些协议均采用滚动合同形式，期限为五年，预计将收到大笔预付款。SK海力士已签署十份合同，期限均为五年，并附带预付款。闪迪已签署八份合同，其中三份是与美国超大规模云服务提供商签订的，平均期限为四年，最长五年，可满足其2027财年50%的比特需求和2028财年约三分之二的需求。

最引人注目的细节来自SanDisk的管理：即使在其浮动定价结构（包括价格上限和下限）的最低价格下，毛利率仍能达到约80%。这意味着即使在最悲观的定价情景下，存储器制造商的盈利能力依然强劲。随着更多长期协议（LTA）细节的披露，存储芯片行业的估值重估逻辑预计将逐步获得市场认可。

与现有存储器制造商的重资产模式不同，英特尔正试图通过“架构定义+封装代工厂”的轻资产模式重新进入存储器领域。

英特尔首席执行官陈立步近日在一次公开采访中透露，他已聘请前SK海力士首席执行官李锡熙担任晶圆代工业务执行副总裁，直接负责先进封装、系统集成和后端制造。李锡熙是SK海力士在2020年以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务的关键人物，并在HBM（高密度闪存）的研发中发挥了重要作用，在其任职期间，SK海力士的HBM市场份额攀升至约60%。

谭先生表示：“过去，我一直把内存视为利润微薄的商品业务，拒绝涉足；但人工智能时代完全不同了。我们正在开发全新的内存架构，并探索CPU和内存3D堆叠的集成解决方案。”

英特尔的具体路径包括：利用EMIB和Foveros封装技术与SK海力士进行深入的HBM合作，向客户提供集成的“逻辑芯片+内存芯片+先进封装”成品；与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM对角堆叠内存技术，目标是在2030年左右实现量产，生产成本仅为HBM的60%，单芯片容量高达512GB；以及申请基于UCIe链路的后端集成内存解决方案的XBM专利。

然而，英特尔的核心弱点同样显而易见：它缺乏DRAM芯片制造能力，核心内存介质完全依赖外部采购，这使得它在供应紧张时期比三星等IDM厂商的议价能力更弱。ZAM架构要到2030年才能实现全面量产，而三星的zHBM预计将在2028年至2029年间上市，这造成了1-2年的市场劣势。

从整个行业的角度来看，人工智能时代内存领域的竞争格局已经从“谁能生产更多芯片”转变为“谁能在系统架构层面优化计算和内存的集成”。三星正在走重资产定制路线，即自主研发IDM芯片并采用zHBM垂直堆叠技术；而英特尔则在走轻资产定制路线，即架构定义加上封装代工。这两条路线的碰撞将决定下一阶段人工智能基础设施的竞争格局。

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