谦合益邦4层3D DRAM存算芯片点亮，突破“内存墙”工程化瓶颈

【区角快讯】当数据洪流在硅基芯片的微观迷宫中奔涌，传统平面架构下的“内存墙”曾是一道难以逾越的天堑。如今，这道墙被垂直堆叠的技术利刃悄然凿穿。8月21日，谦合益邦正式宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片已成功回片并顺利点亮。这一里程碑事件，标志着该技术彻底告别了实验室验证阶段，正式跨入工程落地的深水区。

这款芯片的核心秘密，在于谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构。它在全球范围内首次实现了4层DRAM在垂直方向的高密度堆叠，将计算单元与存储单元在三维空间内深度融合。这种“4+1”的立体结构——以逻辑层为坚实基底，之上垂直叠加4层DRAM——极大地拓展了存储带宽与容量的上限。毕竟，堆叠层数越多，大规模并行计算所能调用的资源便越充裕，高并发数据流的处理也更为从容。

然而，每增加一层堆叠，良率、可靠性以及热管理等工程挑战便呈指数级攀升。层间对准精度、垂直互连的一致性、散热控制的极限，每一个环节都逼近着设计与工艺的临界点。此次“4+1”架构的成功突围，意味着谦合益邦在三维集成原生计算架构的工程化能力上，已稳稳迈过了4层堆叠的关键门槛，这不仅是企业的胜利，更是我国在该领域取得重大技术突破的有力佐证。

得益于全新架构的系统性赋能，该芯片实现了性能的四重跃升：数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗与延时同步降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次处理成本亦下降一个数量级。这四项指标的同步突破，为云游戏等依赖大规模并行计算与高并发数据流的场景，提供了全新的硬件加速范式。

回溯过往，谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早聚焦3D存算一体及三维集成原生芯片架构的企业。但其核心团队的征程始于2018年，彼时“存算一体”尚属学术概念，团队已先行入局，历经六年多轮流片、试错与架构迭代，积累了行业稀缺的技术壁垒。从架构定义到先进3D封装，再到晶圆制造，谦合益邦联合国内产业链伙伴打通了全流程闭环，实现了核心技术的自主可控。近期，公司完成超20亿元B轮融资，长期股东及合作伙伴网易有道与中国移动链长基金在业务层面深度协同，为芯片的规模化落地铺平了道路。