技术前瞻
当前AI算力呈指数级增长，数据中心功耗密度持续攀升，对供电架构提出更高效率、更高功率密度、更低损耗的全链路挑战。从电网侧到芯片侧，电源拓扑、功率器件、系统集成正经历一轮深刻变革，SiC、GaN等宽禁带半导体加速渗透AI服务器电源场景。AI电源产业链上下游协同创新的窗口
当前，宽禁带半导体产业正加速从材料突破迈向系统级应用，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）在高压、高频、高功率密度场景中展现出不可替代的优势。随着AI算力中心、新能源汽车电驱、激光雷达及具身智能等终端需求井喷，功率器件从芯片设计、封装工艺到系统集成的全链条创新成为产业竞争制高点，跨技术路线的深度碰撞愈显迫切。
8月27日，功率半导体新锐峰会将在深圳国际会展中心（宝安新馆）14A36峰会区同期举办，由电子科技大学张波教授主持。来自深圳平湖实验室、氮矽科技、苏州东微半导体、大乙半导体、先进连接、飞锃半导体、龙腾半导体、广东芯聚能半导体、桑德斯微电子器件（南京）有限公司、翼同博海科技（珠海横琴）有限公司等企业及机构的技术领军者将齐聚一堂，围绕8英寸15V-1200V功率GaN、氮化镓激光雷达驱动、AIDC电源全栈方案、嵌埋SiC器件量产痛点及铜烧结封装工艺等前沿议题，带来从外延、器件到模组、系统的硬核研究成果与产业化实战洞察。
核心看点
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聚焦功率半导体新锐力量的技术突破与商业化路径，旨在搭建从学术前沿到工程落地的高效对话平台
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峰会汇聚产学研新锐力量，深度剖析宽禁带器件在数据中心、激光雷达及新能源汽车等增量场景的产业化前景。
激光雷达已进入规模化前装阶段，2030年全球市场预计达127.9亿美元，车载、机器人与低空经济共同构成第二增长曲线。技术层面，dToF测距精度取决于脉冲宽度与边沿速率，传统硅器件已达纳秒级物理极限；GaN凭借宽禁带（3.4eV）、高电子迁移率与低寄生参数，成为发射端的工程最优解。氮矽科技推出DX1003K与DX1003W两款驱动芯片，分别覆盖研发验证与量产导入阶段，支持60MHz开关频率与亚纳秒边沿，并依托器件、封装、验证、导入的全链条平台，规划从分离驱动到GaN PIIP共封装、再到异质集成SoC的演进路线。报告认为，激光雷达是GaN进入感知发射端的首个规模化场景，将带动第三代半导体实现链式突破。
刘家才, 副总经理
氮矽科技
功率氮化镓（GaN）技术因其在高能效、高功率密度功率电子系统领域的独特优势，正成为推动800V算力中心供电技术革新的核心驱动力。本次报告将系统阐述15V-1200V功率GaN与集成技术在算力中心全链路供电等领域的应用前景，并深入分析其对GaN器件的关键技术需求。随后，报告将聚焦8英寸15V-1200V功率GaN最新研究进展，包括GaN外延、关键工艺、器件以及单片集成等技术领域，重点介绍低压GaN领域的前沿成果。最后，展示深圳平湖实验室8英寸功率GaN研发中试平台建设及技术规划。
David Zhou，GaN首席科学家
深圳平湖实验室
本次演讲围绕高性能功率半导体、配套控制芯片、下一代高压直流总线保护三大核心维度展开，清晰阐述东微半导体在面向AI算力基础设施的服务器电源应用的一体化产品布局战略。
1. 完善的高性能功率半导体产品阵列
针对AI服务器供电对高性能功率器件的强需求，详解东微在超结MOSFET，SiC MOSFET和SGT MOSFET、GaN的产品布局。
2. 高性能数字控制芯片
依托收购控股子公司慧能泰补齐数字控制短板，搭建起完整数字IC矩阵，覆盖数字电源控制器、工业实时控制DSP、高精度BMS AFE、PMIC、栅极驱动、模拟运放等全品类芯片。
3. 下一代高压直流算力电源架构保护方案
面向行业主流800V高压直流总线的实时保护的需求，东微在高压热插拔、SSCB固态断路器、配合自研DSP产品及控制算法的系统方案等方面的布局。
王毅，IC技术部总监
苏州东微半导体股份有限公司
1. 低温铜烧结工艺
2. 铜烧结技术在压接IGBT封装中的应用
3. 铜烧结技术在嵌入式封装中的应用
张志愿，技术总监
深圳市先进连接科技有限公司
随着新能源与电力电子应用向高效、高功率密度加速演进，SiC场控晶体管面临栅氧可靠性、阈值电压漂移、短路鲁棒性及高频开关损耗等核心挑战。飞锃半导体SiC MOSFET通过优化栅极工程与界面钝化技术，有效解决栅氧退化与Vth不稳定性，兼顾低导通损耗与高短路耐受能力；SiC JFET则利用无栅氧结构从根本上消除TDDB风险，实现更低比导通电阻与极低开关损耗，为高温高压高可靠场景提供差异化方案。本报告系统介绍飞锃半导体SiC MOSFET与JFET的技术路线和产品特性。
陈喜明，研发VP
飞锃半导体有限公司
当嵌埋封装模块从“实验室样机”走向“车规量产”，真正的竞争不再是“谁的寄生电感最低”，而是谁能系统性地解决界面连接、可靠性设计工艺、材料测试以及电参数测试的闭环工程问题。大乙半导体重点分析嵌埋驱动量产的三大痛点问题，并从材料端填补了嵌埋驱动封装的落地短板——高导热互连材料与相关设计优化，有助于缓解热—力—电之间的多目标矛盾，原位动态均流测试为量产一致性提供了验证手段。
黄明欣
香港大学机械工程系主任
大乙半导体科技有限公司创始人
展示了龙腾半导体股份有限公司的发展历程，及其在超结MOSFET、IGBT、SGT及SiC MOSFET等领域的技术布局与产品演进。内容涵盖器件优化方向、先进封装技术及典型应用场景（直流充电桩、通信电源、光伏储能、车载OBC等），突出以国产化替代为目标，通过系统化解决方案满足工业、通信与新能源领域对高效、可靠功率器件的需求。
王有朋
产品市场经理
龙腾半导体股份有限公司
AI对芯片的巨大需求抢占了全球半导体产能，造成包括Si功率芯片在内的芯片短缺、涨价。Si芯片短缺会加速SiC芯片的“两个替代”，即SiC 功率器件替代 Si 功率器件和国产SiC器件替代进口SiC器件。 AI带也带来了新的增量市场，包括SiC 在 HVDC 800V AIDC电源中的应用和SiC 进入先进封装。AI为SiC产业带来了前所未有的机遇，也对技术的发展提出了新的要求和挑战。
相奇，副总裁
广东芯粤能半导体有限公司
介绍三代半导体碳化硅功率器件及常见市场应用
张兴龙，应用技术总监
桑德斯微电子器件（南京）有限公司
融合塑封与灌封优势的新型D2M功率模块，突破传统单一封装技术瓶颈。该技术承袭塑封模块轻量化、耐湿、高可靠、SiC器件量产良品率高的优势，同时兼具灌封模块布局灵活、绝缘性优异、适配大尺寸、多芯片集成及安装便捷的特点。产品创新采用激光焊接+压接复合工艺，优化电气性能与散热结构，大幅提升模块稳定性与使用寿命，最终实现高性能、高可靠性、高性价比，可为新能源、工业电力电子领域提供优质的功率封装解决方案。
邱建文，研发副总
翼同博海科技（珠海横琴）有限公司
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