韩系存储双雄逆势加码，中国产线成高端NAND核心支柱

【区角快讯】在半导体全球供应链重构的微妙时刻，三星电子与SK海力士这两大韩国存储巨头，正不约而同地加速在中国市场的NAND闪存生产布局。据行业消息披露，双方计划在明年之前陆续完成新一轮的设备投资，并将中国产线明确定位为高端NAND量产的关键支柱。这一动向颇具深意，毕竟三星电子今年5月才刚宣布退出中国的电视及家电业务，但当时便斩钉截铁地表示，半导体业务将照常运营，西安和苏州的工厂绝不会中断。

视线转向SK海力士，其停工长达四年的大连NAND工厂已正式重启建设进程。从第三季度开始，该厂第二工厂便着手推进NAND产品升级所需的设备投资，目标锁定在月产3万片晶圆的规模，且相关投入将持续至明年。这标志着SK海力士在华产能建设进入实质性加速期，整体扩产后产能预计将激增约50%。

另一边，三星电子的动作更为具体。其西安工厂第九代NAND（V9）的转换投资计划已落地，并确定了追加补充方案。V9 NAND采用280层堆叠架构，堪称当前最先进的NAND产品之一，预计月产能可达4万至5万片晶圆。为了夯实稳定量产能力，三星决定追加引入刻蚀工艺设备，采购订单有望在今年年底前敲定，而补充投资则定于明年下半年启动。

两家巨头接连扩大在华投资，无疑释放出强烈信号：中国工厂在其高阶NAND产品版图中的地位正日益凸显。此轮扩产不仅是对现有供应链的加固，更将显著提升其高端产品的市场供应能力，在全球存储竞争中占据更有利的地形。