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8月28日消息，据韩媒报道，韩国半导体企业三星电子、SK海力士持续对中国境内NAND闪存晶圆生产基地加大投资力度，扩充闪存芯片产能，助力调节市场供需。
据了解，自2026年上半年起，三星电子推进西安X2晶圆厂工艺升级工作，对原有老旧制程产线进行改造，升级至最新第九代V NAND（286层）技术。按照规划，企业将为该工厂引进全新蚀刻工艺设备，相关设备采购订单有望于2026年内完成落地。
与此同时，SK海力士将投资重点放在大连第二晶圆厂项目，规划新增月产3万片晶圆的生产能力，光刻机等核心生产设备预计将于2026年10月起陆续进场导入。
来源：国芯网
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