东科半导体围绕 USB 充电器、适配器及 LED 驱动等反激电源应用，布局了多款集成功率 MOS 的同步整流芯片，产品覆盖45V至100V耐压以及多种导阻和输出电流规格，可满足不同输出电压及功率段的次级同步整流需求。

DK5V60R10VP是其中一款采用 SOP-8 封装的高性能同步整流芯片，内部集成60V、10mΩ功率 NMOS，典型应用规格为9V4A。芯片支持反激 PSR、SSR 电源应用，可工作于 CCM、DCM及 QR 模式，并采用自供电与智能检测设计，无需额外外围供电及前端同步信号。

东科半导体DK5V60R10VP

东科半导体DK5V60R10VP内部集成60V功率NMOS，导通电阻为10mΩ，通过功率MOS替代传统肖特基整流二极管，可降低次级整流过程中的导通损耗以及温升，提升电源转换效率。

DK5V60R10VP支持85-265VAC输入，典型应用规格为9V4A，可用于相应功率段的充电器及电源适配器设计。

芯片内置智能检测及控制电路，无需前端提供同步信号，可直接检测功率MOS两端电压变化并控制MOS开关。其中MOS开通电压为-200mV，预关断电压为-40mV，关断电压为0mV，开通延时为150ns，关断延时为20ns，最大工作频率为300kHz。

DK5V60R10VP还内置储能电容以及自供电线路，可满足芯片自身及功率MOS驱动的供电需求。当VCC电压上升至5.1V时芯片完成启动，当VCC下降至4.6V以下时重新进入启动状态。

针对反激电源次级可能出现的谐振问题，DK5V60R10VP内置自适应数字算法，可避免次级谐振造成MOS误开通，同时通过自适应漏感滤波算法避免漏感谐振导致MOS误关断。

芯片采用SOP-8封装，支持±4kV HBM静电防护，结工作温度范围为-40℃至150℃。

充电头网总结

当前充电器功率及输出电流不断提升，采用功率MOS进行同步整流已成为降低次级损耗、改善整机温升的重要方式。

东科半导体DK5V60R10VP将同步整流控制电路与功率NMOS集成于单颗芯片，并结合自供电以及智能检测设计，可减少外围电路，为USB充电器、适配器等反激电源产品提供同步整流解决方案。