HBM价格狂飙背后：三星海力士产能告急，现货价竟是合约价五倍

【区角快讯】当AI算力需求如洪水般涌向存储芯片市场，DRAM价格的飙升已不再是简单的周期性波动，而是一场结构性的供需危机。9月1日媒体披露，占据全球存储市场七成江山的三星电子与SK海力士，正面临前所未有的产能瓶颈，难以填补日益扩大的需求缺口。

数据揭示了这一矛盾的尖锐性。韩国国际贸易协会（KITA）8月31日发布的数据显示，今年7月韩国AI芯片用DRAM出口量降至5.9174亿个，较5月的6.817亿个下滑13.2%。然而，同期出口总额却逆势上扬至135.5亿美元，增幅达18.5%。这种“量减价涨”的背离现象，直接推高了平均单价，从16.76美元跃升至22.90美元，涨幅高达36.6%。

究其根源，HBM4向英伟达等大客户的放量供货是关键推手。由于HBM4尚处量产初期，良率不及前代HBM3E，生产过程中消耗的DRAM晶圆更多，进一步加剧了整体短缺。据悉，三星存储事业部已将2031年前约70%的产能锁定给长期协议（LTA）订单，主要客户包括英伟达、微软和谷歌等科技巨头。但即便对于这些核心伙伴，全额交付也已成为奢望。

现货市场的价格信号更为剧烈。MegaGrid Supply最新数据显示，36GB HBM3E现货售价已达2100美元（约合287万韩元），是其长期合约价格的四到五倍，供需失衡之严重可见一斑。在此背景下，市场预期三星电子第三季度营业收入有望达206.64万亿韩元，营业利润达116.38万亿韩元，远超第二季度的表现。若成真，这将是韩国企业乃至全球科技巨头中，首次有公司单季营业利润突破100万亿韩元大关。

业内分析人士Ahn Ki-hyun指出，解决短缺需新建工厂，但即便新厂投产，也只能缓解而非消除短缺。这意味着，DRAM的高景气周期将在未来一段时间内持续延续，成为半导体行业最确定的增长引擎。