当储能不再只谈电池，PCIM上被重新定义的功率电子

电子发烧友网报道（文/黄山明）八月底的深圳国际会展中心，PCIM Asia 2026在三天内汇聚了全球电力电子领域最密集的技术信息。与其他储能展不同的是，储能不再以独立的电池模组形态占据视觉中心，而是被拆解为功率器件、驱动电路、拓扑架构等更底层的工程问题，嵌入整个电力电子系统之中。

宽禁带半导体的储能适配进入量产阶段

可以观察到，展馆内最显著的趋势之一，是碳化硅和氮化镓器件在储能场景中的展示密度明显提升。奕能科技便是其中之一。其展出的SiC MOSFET晶圆、分立器件及塑封模块覆盖了750伏至1700伏电压等级，位于重庆的模组工厂已于今年二月投产，规划月产能达73万个。

这一产能数字的意义在于，它意味着储能变流器制造商在批量采购碳化硅器件时，不再完全依赖海外供应商的排产周期。供应链的确定性本身就是储能项目降本的重要前提，而这种确定性正在从展会现场走向实际交付。

此外还有芯丰泽，其展出了超低温度系数的650V SiC SBD产品，电压等级在650V-1200V，凭借超低的温度系数，可以在高温环境下仍然保持低功耗。还有中高压3.3kV SiC MOSFET，电流等级在2A-40A，可以应用在高压取能/储能中。

值得注意的是，还推出了SiC Trench MOSFET样品，产品元胞尺寸3μm、阻断电压达1600V、阈值电压为5V，特征导通电阻典型值为（3.0±0.4）mΩ·c㎡。

功率模组的全谱系能力回应工程痛点

储能变流器从集中式向分布式、从低压向高压级联方向演进的过程中，对功率模组的要求已远超器件本身的性能上限，高频开关工况下的损耗表现和长期热循环可靠性成为真正的工程瓶颈。

例如作为国内首家建成全自动车规级SiC模组量产线的元山电子，其展出了从30安到1200安、涵盖AM、BM、NMFM、EM、TM、XM等多种封装形式的产品谱系，电压覆盖750伏至1700伏，转换效率达到98%以上。

展板上详细列出的低寄生电感封装设计和多芯片并联均流技术方案，指向的正是储能PCS在真实运行环境中面临的散热与可靠性挑战。全谱系供应能力的价值，不在于产品型号的丰富程度本身，而在于它能够适配不同拓扑、不同功率等级储能系统的差异化需求，减少系统集成商在模组选型环节的妥协空间。

驱动电路的国产化补齐系统短板

驱动电路在储能系统中长期处于被低估的位置，但有意识的是，能看到这一环节正在成为国产供应链突破的重点方向。碳化硅器件的开关速度远快于传统IGBT，对驱动信号的时序精度、短路保护响应速度和电磁兼容性提出了数量级更高的要求，而此前这一领域的高端产品主要由海外厂商主导。

例如杭州飞仕得展出的2FHC0240系列驱动板明确标注适用于储能和固态变压器场景，支持最高2000伏电压等级，符合UL 61800安全标准；另一款2FHD0225双通道即插即用驱动器则针对1700伏碳化硅模块优化，单通道输出功率2瓦。

更具标志性的是，这些产品基于自研可编程ASIC芯片平台构建，意味着国内企业首次在储能用高压驱动领域具备了从芯片定义到板级交付的完整能力。

双向GaN重塑分布式储能形态

在分布式储能方向，GaN器件的展示呈现出与前几个环节不同的技术路径。例如镓未来的G2B65系列双向GaN器件采用D-mode共源共栅级联结构，兼容现有硅基MOSFET驱动电路，无需重新设计控制架构即可实现双向功率流动。

这一产品的意义在于，户用储能逆变器和便携式储能电源的传统方案需要分别配置充电和放电两条功率通路，而双向氮化镓器件将两者合并为单一拓扑，直接减少器件数量和电路复杂度。镓未来公布的数据显示，采用该方案的户外储能产品体积可缩减30%至40%，系统效率提升至97%以上，且已进入正浩创新和昱能科技的量产供应链。

此外，其同步发布的12千瓦AI服务器电源方案，将GaN技术延伸至数据中心供电领域。当AI算力基础设施开始配置储能系统以应对负荷波动时，高频高效率的GaN器件天然适配这一新兴场景的功率密度要求，也为储能打开了新的增量市场。