宁德时代领投，一Micro LED厂获超10亿融资

近日，星钥半导体（武汉）宣布两大关键动态：

第一，完成新一轮超10亿元融资，以8英寸硅基GaN打造下一代Micro LED产业化平台；

第二，稳步推进Micro LED显示业务的同时，企业已正式切入Micro LED光通信领域，并将在CIOE上展出8英寸硅基GaN Micro LED芯片、全彩微显示方案与AI算力光互联技术。

■ 累计融资金额已超25亿元

星钥半导体（武汉）有限公司近日宣布完成新一轮超十亿元融资。

本轮由宁德时代溥泉资本领投，美团龙珠、国泰海通、优山资本、鼎晖香港以及重庆、江苏多地国资平台共同参与，老股东高瓴创投、红杉中国、经纬创投、华业天成、君科丹木、盛裕资本、中天汇富和明势创投持续加码。

据企业披露，截至目前，企业累计融资金额已超25亿元。

■ 正式切入Micro LED光通信领域

据了解，除了AR赛道，当前星钥半导体已切入Micro LED光通信领域。

企业表示，Micro LED光通信与微显示技术高度同源，依托先进的8英寸硅基平台，成熟的量产工艺，企业在稳步推进Micro LED显示业务的同时，正式切入Micro LED光通信领域，现已向产业合作伙伴送样开展产品验证测试，加速推进技术从研发走向产业化验证。

其认为，Micro LED短距光互联采用"Wide and Slow"并行思路：不追求单通道速率上限，以微米级发光器件构建高密度二维阵列，靠并行通道数量拉高聚合带宽，兼具光互联的传输优势与接近电互联的功耗水平：

高聚合带宽，适配高吞吐算力场景：微米级器件具备极低RC常数，单通道实现GHz级调制带宽，可支撑Gbps级信号传输；凭借阵列并行架构，单芯片聚合带宽能够突破Tb/s级别，完美适配GPU高速互联需求；
底层架构实现低功耗高能效：器件本身寄生参数小，无需过度抬升单通道速率换取带宽，目标能效低于5pJ/bit，极限工况可达1pJ/bit，从根源控制传输能耗，契合AIDC严苛的能耗管控要求；
硅基氮化镓赋能先进封装集成，适配CPO发展趋势：工艺与CMOS体系高度兼容，可复用8/12英寸成熟CMOS产线；借助硅基氮化镓的技术特性，大幅降低异质集成难度，支持发光阵列与硅驱动、探测电路完成晶圆级混合/单片集成，契合CPO共封装光学的产业演进方向；
工作稳定性强，规模化降本空间充足：器件耐受工作温区宽，对散热冷却系统要求更低；叠加硅衬底成本优势以及大尺寸晶圆量产规模效应，商业化落地阶段具备可观的成本下行潜力。

■ 星钥半导体Micro LED产能、产品布局

相关资料显示，星钥半导体成立于2024年10月，聚焦8英寸硅基GaN Micro LED芯片研发与产业化，已围绕微显示、光互联两大赛道布局IDM全流程制造能力，为AR近眼显示、AI算力光通信提供核心光电子芯片方案。

量产进展方面，2025年建成国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED全流程中试产线，打通氮化镓外延生长、芯片制造、晶圆键合全工序链条，规划年产能约1.2万片晶圆。

产品层面，目前企业单色Micro LED芯片已开启批量生产，双色及三色（全彩）集成样品已开始送样，头部客户导入与产品验证工作已全面开展。

此外，针对红光这一Micro LED全彩化的核心难点，星钥半导体同步布局铝镓铟磷（AlGaInP）与铟镓氮（InGaN）两条红光技术路线：

相关资料显示，目前星钥半导体正全力攻坚GaN在“光”领域的性能边界。一方面，新一代人机交互终端对Micro LED显示芯片提出了更高维度要求；另一方面，AI数据中心短距离光互联也爆发了全新需求。

面向未来，星钥半导体将依托团队在8英寸硅基氮化镓量产工艺、IDM全链路制造和产业化协同上的深厚积淀，布局Micro LED微显示、光通信双大赛道，打造面向AI时代的下一代核心光电子半导体平台，为AR智能终端与算力光通信基础设施提供底层技术底座，构筑“消费级微显示+算力级光通信”的双增长曲线。

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