SK海力士正在明显加快第六代10纳米级1c DRAM的制程迁移。原文援引产业估算称，1c DRAM在公司DRAM总产量中的占比，已由2026年第一季度约10%升至第二季度约13%，第三季度预计进一步达到24%，第四季度则可能升至34%。到2027年第一季度，1c占比预计约35%，并首次超过1b制程，成为SK海力士占比最高的DRAM工艺平台。
这一变化并不只是“谁先进入更新制程”的竞赛。随着AI服务器持续拉动HBM、服务器DRAM和高带宽内存模组需求，单位晶圆能够产出多少有效位元、制程良率能否稳定、每比特成本能否下降，正在直接影响存储器厂商的供货能力与盈利弹性。对SK海力士而言，1c加速上量既是传统DRAM成本优化的一部分，也与下一代HBM4E的技术准备紧密相连。
需要区分的是，SK海力士并未公开发布按季度划分的1c制程产量占比目标。因此，34%、35%等数字应理解为产业链和市场机构对制程结构的估算，而不是公司正式产能指引。公司官方已经确认的是：基于1c制程的产品在2026年第二季度开始正式放量，同时HBM4也在同一季度进入量产出货，并计划在下半年继续扩大生产。
SK海力士1c DRAM占比预计在2026年下半年快速提升。
1c从13%向34%跃升，意味着制程迁移进入真正放量阶段
DRAM制程迁移通常并不是一条产线“瞬间切换”，而是在不同产品、客户认证和良率条件下逐步提升新制程占比。原文数据显示，SK海力士1b制程占比在2026年第二季度约43%附近见顶，随后开始下降；与此同时，1c由第二季度13%向第三季度24%、第四季度34%快速提升。这种结构变化说明1c正在从新品导入阶段进入规模化替代阶段。
对DRAM厂商而言，新一代制程最直接的经济价值，是在同样晶圆投入下提高位元产出。线宽缩小后，单颗DRAM晶粒面积通常有机会下降，从一片晶圆上切割出的有效晶粒数量增加；若良率能够同步稳定，则单位比特制造成本下降。对于当前供需偏紧的AI存储市场，这种“在不同比例增加晶圆开工量的情况下提高有效供给”的能力尤其重要。
但更先进制程并不天然等于更低成本。初期制程需要承担设备折旧、良率爬坡、缺陷密度控制和产品认证压力。只有当1c良率和生产效率达到足够成熟的水平，位元密度优势才会真正转化为成本优势。因此，SK海力士后续最值得观察的不是单纯的1c占比，而是其良率、服务器DRAM出货和HBM相关产品能否同步放量。
SK海力士1c渗透起步偏慢，但年底有望赶上甚至反超
按原文引用的同一组产业估算，2026年第二季度SK海力士1c渗透率约13%，低于三星电子约16%和美光科技约19%。这说明在1c制程切换初期，SK海力士并非最激进的一家。公司在HBM4上继续采用经过验证的1b DRAM，也体现出其优先保证良率与供货稳定性的策略。
不过，到2026年第四季度，市场预计SK海力士1c占比可能升至约34%，高于三星电子约31%。如果这一节奏兑现，意味着SK海力士并不是长期落后，而是在经过较保守的前期验证后加快扩大新制程产量。对于一家HBM占比高、客户对稳定供货要求极强的公司而言，这种“后发加速”策略可以降低制程切换对高价值产品的冲击。
官方资料也显示，SK海力士已经将1c扩展至多类产品。公司在MWC和COMPUTEX 2026展示了采用1c制程的64GB DDR5 RDIMM，并强调其速度与能效优势；同时还开发了基于1c的LPDDR6。由此看，1c并非只服务HBM，而是在服务器、移动及AI内存产品中逐渐形成更广泛的工艺平台。
HBM4路线分化：三星押注1c，SK海力士先保稳定
下一代HBM竞争使两家韩国存储厂商的制程选择差异更加明显。三星电子在2026年2月宣布量产并商业出货HBM4时，直接采用第六代10纳米级1c DRAM，并搭配4纳米逻辑基础裸片。三星官方公布的持续数据传输速率为11.7Gbps，并具备扩展至13Gbps的空间。
SK海力士的HBM4则采取更稳健策略，继续沿用已经充分验证的1b DRAM，并搭配Advanced MR-MUF封装技术。对HBM而言，最终量产良率取决于DRAM晶粒、堆叠、TSV、基础裸片、封装与测试等多个环节。即使单颗DRAM使用更先进制程，若整体堆叠良率下降，也可能削弱成本和供货优势。因此，SK海力士在HBM4阶段优先使用成熟工艺，本质上是在性能、良率和大规模供货之间寻找平衡。
这一策略并未阻止公司扩大HBM4供给。SK海力士已确认，HBM4在2026年第二季度开始量产出货，并将在下半年继续扩大。公司同时强调，HBM竞争力已经不只体现在峰值速度，而是由高良率带来的稳定供货能力、成本竞争力、能效和客户协同共同决定。
HBM4E成为1c迁移的真正试金石
原文指出，SK海力士计划在HBM4E核心DRAM晶粒中导入1c，以满足更高性能要求。需要说明的是，SK海力士目前公开的HBM4E官方资料并未明确披露DRAM核心晶粒的具体制程代际；公司在第二季度业绩说明中仅表示，HBM4E采用兼顾技术成熟度与量产稳定性的最优制程。因此，“HBM4E采用1c”目前更适合作为产业链信息表述，而非公司正式规格。
已经确认的是，SK海力士于2026年6月向主要客户提供了12层48GB HBM4E样品，单引脚最高速率达到16Gbps，能效较前代提升20%以上，并继续采用Advanced MR-MUF封装，使热阻较HBM4降低约17%。这些指标说明HBM4E的竞争不仅要求更高速度，还必须同步解决功耗、散热与堆叠稳定性问题。
如果后续1c真正成为HBM4E的核心DRAM工艺，SK海力士需要证明其能在新制程快速上量的同时维持既有HBM高良率优势。相比普通服务器DRAM，HBM需要把多颗DRAM晶粒堆叠成一体，任何单层缺陷都会影响最终成品率。因此，1c是否成熟到足以支撑HBM4E大规模客户认证，将比单纯的制程节点领先更重要。
三星份额快速回升，HBM4E让竞争从产品性能转向制造执行力
Counterpoint Research最新数据进一步说明竞争正在加剧。2026年第二季度，SK海力士仍以50%的HBM营收份额保持第一，但较第一季度的58%下降；三星电子由21%快速升至33%，美光科技则由21%降至18%。Counterpoint指出，第二季度HBM营收仍主要来自HBM3E，而HBM4出货将在下半年逐步变得更加明显。
三星份额快速回升与HBM4提前进入量产有关，也意味着SK海力士过去依靠HBM3E建立的领先优势正在面临更直接的挑战。下一阶段竞争不只是“谁先发布HBM4E”，而是谁能把新DRAM制程、基础裸片、封装、散热和测试整合成可稳定交付的产品。
对于SK海力士而言，1c迁移速度提升可以增加同样晶圆投入下的有效位元产出，并为更高性能HBM4E提供工艺基础；但它同时提高了制造执行要求。三星已经在HBM4中使用1c并获得更快的市场份额提升，SK海力士则需要在保持高良率和供应稳定性的同时缩短新制程导入周期。
2026年第二季度全球HBM营收份额。资料来源：Counterpoint Research。
1c制程的真正价值，是把“成本、供给和高端产品”绑在一起
当前AI存储需求持续强劲，SK海力士在2026年第二季度财报中表示，追加供货请求仍在增加，并已与约10家核心客户完成长期供应协议。需求结构也在从单一HBM向服务器DRAM、SOCAMM2、企业级SSD等高附加值产品扩散。在这种环境下，先进DRAM制程的战略意义已经超越单一产品。
如果1c能够提高位元密度并降低单位成本，SK海力士就可以在晶圆产能扩张速度受限时，通过制程迁移释放更多有效供给；与此同时，更先进的工艺还能服务高性能服务器DRAM和下一代HBM。这使1c同时承担“提升产量”“降低成本”和“支持高端产品性能”的三重任务。
但制程迁移越快，良率风险也越集中。尤其是AI客户倾向通过多年协议提前锁定供应，厂商一旦承诺产量，就必须保证实际可交付产品数量。因此，SK海力士不能只追求1c占比数字，而需要让新工艺在大规模量产中形成稳定良率，否则更高理论位元产出未必能转化为更高可销售产量。
产业观察：HBM竞争正从“先进节点”转向“制程与封装协同”
SK海力士1c占比快速提升，反映出DRAM制程和HBM路线正在进一步绑定。过去HBM竞争更容易被理解为堆叠层数、带宽或客户认证之争；进入HBM4与HBM4E阶段后，核心DRAM制程、逻辑基础裸片、封装工艺和热管理开始同时决定产品竞争力。
三星电子选择在HBM4上更早导入1c，换取性能扩展空间；SK海力士则先使用成熟1b保证HBM4量产稳定，再加速1c在整体DRAM中的渗透。两条路线没有绝对优劣，关键取决于新制程是否能够在客户量产窗口到来前完成良率爬坡。
从2026年下半年到2027年，1c将成为观察SK海力士制造能力的重要窗口。如果市场估算的34%至35%占比兑现，同时HBM4E客户认证顺利推进，SK海力士将有机会把既有HBM规模和封装经验与新一代DRAM的成本、性能优势结合起来；反之，如果良率或认证节奏不及预期，三星在HBM4阶段建立的追赶势头可能进一步放大。
因此，下一轮HBM竞争的关键问题不再只是“谁的制程更先进”，而是谁能够把先进制程真正转化为高良率、高供给和可持续成本优势。对SK海力士而言，1c迁移是一场产能结构调整，也是HBM4E时代制造执行力的核心测试。
