据韩国媒体《首尔经济日报》报道，一份最新预测显示，三星电子与 SK 海力士存储芯片库存已经下滑至不足 10 天的供应量，明年或将出现严重缺货。人工智能基础设施投资爆发式增长，带动存储芯片需求快速攀升，两家芯片厂商可供对外销售的产品存在耗尽风险。
KB 证券于 9 月 7 日表示，明年存储市场将迎来“史上最紧张的供给局面”，并将三星电子、SK 海力士列为半导体板块首选推荐标的。
KB 证券研究主管金东元（Kim Dongwon）表示：“截至第三季度，三星电子与 SK 海力士存储芯片库存已经降至不足 10 天。这已经不只是简单的需求复苏，可供市场投放的产品极有可能出现绝对性供给不足。由此，明年可对外销售的存储产品总量耗尽或将成为现实。”
该次缺货预警的背后，是全球大型云厂商对 AI 领域的大举投入。KB 证券称，市场已经将明年全球 AI 基础设施投资预期大幅上调至1.3 万亿美元，同比增长 60%。云 AI 服务、Token 计费模式、智能代理 AI、大模型托管业务已经转变为直接营收来源，进一步推高 AI 基建开支增速。
存储芯片在 AI 基建总投入中的占比正在快速抬升。KB 证券预测，该占比 2026 年将达到 40%，2027 年进一步提升至 57%，而 2025 年仅为 14%—— 两年时间接近四倍增长。市调机构集邦咨询（TrendForce）对明年的预测更为激进，该比例可达 68%。
短缺并不仅仅局限于高带宽内存 HBM。AI 服务器建设同时拉动服务器 DDR5 内存、企业级固态硬盘 eSSD 需求，DRAM、NAND 全品类存储产品都将面临供给压力。
KB 证券预测，2027 年 DRAM 与 NAND 按比特口径统计的需求增速，将超过供给增速10 个百分点以上。现有产能结构很难快速扩张以匹配暴涨的需求，存储芯片短缺或将进一步加剧。
下一代高带宽内存 HBM4 扩产，是挤压传统 DRAM 供给的另一大因素。HBM4 所消耗的晶圆产能是普通 DRAM 的三倍，提升 HBM4 产出，就会挤占传统 DRAM 的可用产能。
金东元指出：“HBM4 占用的晶圆产能为普通 DRAM 的三倍。HBM4 产量越高，分配给传统 DRAM 的产能就越少，这会进一步加深存储短缺问题。”
尽管存储行业基本面向好，但三星电子、SK 海力士股价经历了大幅回调，过去三个月，两家公司股价均较高点下跌 38%；以明年预期业绩测算，两家企业市盈率仅约 3 倍。
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