长鑫存储Q2利润率82%，超越SK海力士、三星、美光

中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）在今年第二季度的营业利润率达到82%，超过了三星电子、SK海力士和美光等主要存储芯片制造商。这一业绩归功于DDR5价格的飙升，而价格上涨的背后，是制造商为满足人工智能（AI）应用需求而扩大高带宽内存（HBM）产能，导致通用DRAM供应减少。

据《日本经济新闻》（Nikkei）9月11日报道，长鑫存储第二季度（4月至6月）的营业利润率为82%，在六大存储芯片企业中位居榜首。相比之下，SK海力士为76%，三星电子半导体部门为70%，美光为80%（3月至5月期间），闪迪（SanDisk）和铠侠（Kioxia）分别为78%和74%。《日本经济新闻》基于各公司数据对息税前利润（EBIT）进行了比较。

长鑫存储在短短一年内实现了从去年第二季度亏损到大幅盈利的转变。《日本经济新闻》报道称，今年第二季度公司营收达到约2.3万亿日元（约20万亿韩元），同比增长十倍；息税前利润（EBIT）约为1.9万亿日元（约16.6万亿韩元）。在上个月发布的首份半年报中，长鑫存储还披露，上半年营收同比增长873.64%，达到1503.1亿元人民币；归属于母公司的净利润达到776.05亿元人民币，成功扭亏为盈。

通用DRAM供应短缺被认为是长鑫存储盈利能力大幅提升的主要原因。由于三星电子、SK海力士和美光将先进的DRAM产能优先用于生产AI服务器所需的HBM，导致面向服务器和个人电脑（PC）的通用DRAM供应趋紧。长鑫存储因其产品组合中DDR5（该细分市场价格涨幅显著）占比很高，从而从这一市场变化中获益匪浅。事实上，今年通用DRAM与HBM之间的盈利能力差距发生了逆转。据市场研究机构TrendForce分析，HBM的价格通常与主要客户按年度协商确定，这意味着它并未立即反映出自去年下半年以来通用DRAM价格的飙升。因此，在今年第一季度，DDR5 64GB RDIMM的单片晶圆收入超过了HBM，其盈利能力也随之超过了HBM。

从营收角度看，三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）继续主导全球DRAM市场。据市场研究机构Counterpoint Research数据显示，长鑫存储（CXMT）在今年第二季度的DRAM营收市场份额达到10%——较一年前的4%大幅增长——尽管仍落后于三星电子（39%）、SK海力士（26%）和美光（25%）。TrendForce的数据也将长鑫存储列为第四位，市场份额为9.5%。

长鑫存储于7月27日在上海证券交易所科创板上市。其首次公开募股（IPO）发行价为每股8.66元人民币，包括超额配售选择权在内的总募资额约为666亿元人民币。该公司计划将募集资金用于升级存储晶圆生产线及研发DRAM技术。

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