黄仁勋预判2030年中国突破光刻瓶颈，与蔡司观点存技术维度差异

【区角快讯】在全球半导体供应链的博弈中，ASML凭借EUV光刻机的垄断地位成为关键节点，欧美对华芯片产业的遏制策略也主要围绕限制其供应展开。然而，NVIDIA首席执行官黄仁勋在近日举行的All-In峰会上给出了截然不同的时间线判断。面对主持人关于中国何时能掌握先进光刻技术的提问，他预测到2030年，中国企业将能够打造出自主的先进光刻系统。

黄仁勋进一步指出，一旦技术路径跑通，中国制造业强大的规模化生产能力将被激活，国产设备进入本土晶圆厂仅是时间早晚的问题。这一乐观预期与业界其他声音形成对比。此前，蔡司半导体业务负责人Frank Rohmund曾坦言，中国若要独立制造出国产EUV光刻机，可能仍需约15年的漫长周期。

值得注意的是，两者的回答看似矛盾，实则指向不同的技术范畴。蔡司聚焦于极紫外（EUV）这一特定尖端领域，而黄仁勋所言的“先进光刻机”概念更为宽泛，涵盖了深紫外（DUV）等技术路线。事实上，即便EUV实现量产，DUV技术在成熟制程及特定应用场景中依然不可或缺，两者属于并行且独立的生态体系。因此，2030年这个时间节点对于非EUV类的先进光刻技术而言，并非遥不可及，其战略重要性也不会因EUV的普及而削弱。这种技术维度的错位，恰恰反映了全球半导体产业竞争的复杂性与多层次性。