公众号记得加星标⭐️，第一时间推送不会错过。
标志着国内DRAM工艺制程正式跻身全球顶尖量产梯队。
今日，国内存储龙头企业长鑫存储在2026世界制造业大会现场正式官宣，旗下第五代DRAM技术平台（G5平台）全面实现规模化量产，同时首发基于该平台研发的大容量LPDDR5X全新产品。此次G5平台的成功落地，标志着国内DRAM工艺制程正式跻身全球顶尖量产梯队，成为长鑫存储深耕高端存储技术路线的里程碑式突破，也为全球存储产业供应链稳定、技术创新升级提供了全新的本土解决方案。
作为存储产业的核心底层技术，DRAM工艺制程的迭代升级，直接决定了消费电子、智能终端、人工智能等数字产业的性能上限。长鑫存储G5平台的量产落地，补齐了本土高端DRAM工艺的核心短板，凭借比肩全球顶尖水平的量产工艺节点，重构本土高端存储技术体系。
核心工艺多点突破，自研技术筑牢产业底座
据长鑫存储官方披露，全新量产的G5平台在核心制程、结构设计、材料工艺等多个关键维度实现全方位创新，多项技术指标达到行业领先水平，完成了本土DRAM工艺的跨越式升级。在核心制程微缩层面，长鑫存储创新性采用四重曝光技术，成功将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，这一制程参数已逼近全球顶尖的内存量产平台水平，实现了本土DRAM精细化制程的重大突破，让本土存储芯片在核心工艺精度上与国际一线品牌同台竞技。
在存储核心结构优化上，G5平台通过革新传统工艺流程、导入全新特种材料，将存储电容深宽比提升至45:1，大幅增强了电容存储稳定性与电荷保持能力，有效改善芯片运行过程中的漏电流问题，提升产品使用寿命与运行可靠性。同时，团队针对性研发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，精准优化芯片核心架构，成功将G5平台核心功能区高度压缩至6762纳米，在缩小芯片体积、提升集成度的同时，进一步降低芯片运行功耗，实现了性能与功耗的双向优化。
除硬件工艺革新外，长鑫存储在研发模式上实现数字化创新，自研搭建贯穿产品全生命周期的数字孪生系统。该系统覆盖芯片设计、工艺开发、产线制造、设备维护、产品迭代全流程，通过构建高精度虚拟DRAM工艺模型，模拟真实量产场景，有效规避了传统研发模式中试错成本高、迭代周期长、工艺调试难度大等痛点，大幅加速G5平台的研发落地进程。与此同时，团队在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等多项底层核心工艺上完成技术攻坚，构建起全方位、自主化的核心技术壁垒，为G5平台的稳定量产、持续迭代提供了坚实支撑。
产品性能大幅跃升，适配全场景高端需求
先进的工艺制程带来了产品核心性能与量产效益的全面升级。依托G5平台的极致微缩工艺，芯片存储密度实现跨越式提升，相较第四代技术平台，每片晶圆可产出的裸片数量提升至少50%。产能效率的大幅优化，不仅有效降低了单颗芯片的制造成本，提升了企业量产经济效益，更能充分满足当下全球高端存储芯片的庞大市场需求，缓解行业高端存储产能紧缺的现状。在能效表现上，全新工艺架构搭配新材料体系，让G5平台量产产品的功耗控制、运行稳定性显著优于上一代产品，完美适配当下智能终端低功耗、高性能的发展趋势。
本次大会同步亮相的两款全新LPDDR5X量产产品，是G5平台技术优势的核心落地成果。两款新品单颗容量达到24Gb，较上一代同类型产品容量提升50%，存储空间的升级能够充分满足智能手机高清影像、大型游戏、多任务后台运行、AI算力调度等高端场景需求。产品分别采用496Ball与245Ball两种成熟封装规格，精准适配中高端智能手机、平板、轻薄本、可穿戴设备等多元化便携式消费电子场景，目前两款新品均已完成产线验证，全面进入规模化量产阶段。
值得关注的是，这批基于G5平台打造的24Gb LPDDR5X新品，已正式切入本土主流旗舰手机供应链，标志着本土高端DRAM芯片彻底摆脱“低端替代”标签，实现了在高端消费电子核心领域的规模化商用，正式开启本土高端存储的普及周期。
长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。
