HBM技术竞速现变数：三星混合键合样品已送测，SK海力士陷研发困境

【区角快讯】当高带宽内存（HBM）的市场争夺战进入深水区，技术路线的细微差异正悄然重塑行业格局。据快科技10月8日披露，SK海力士在关键的混合键合技术开发上遭遇瓶颈，其HBM样品生产尚未启动；相比之下，竞争对手三星电子已利用该工艺制造出HBM样品并送达客户手中。这一消息源自SK海力士未来技术研究院一位工艺开发工程师向媒体Damnang的透露，截至目前，双方均未对此作出官方回应。

混合键合作为一种前沿封装工艺，通过将两颗硅芯片内嵌的金属凸点熔接，实现裸片甚至整片晶圆的背面堆叠连接。它摒弃了传统芯片凸点，直接以铜互连进行键合，从而大幅缩短互连距离。这种物理层面的优化，能显著降低延迟、提升性能并减少信号失真，对于追求极致算力的高端客户而言极具吸引力。

对长期占据全球HBM营收榜首的SK海力士来说，这或许是一次不小的挫折。在那些对容量、性能及技术先进性要求极高的客户群体中，市场份额可能因此发生倾斜。数据显示，当前HBM出货由HBM3E和HBM4主导，SK海力士虽以50%份额居首，但相比此前高达64%的全球支出占比已出现明显下滑；同期，三星电子则以33%的份额紧追不舍。

值得注意的是，目前关于混合键合样品的进度仅源于单方说法，缺乏公开确认。SK海力士能否守住其在HBM3E和HBM4上的领先优势，不仅取决于后续样品研发的突破速度，更在于最终客户的实际选择倾向。这场围绕先进封装技术的暗战，结局仍未可知。