据三位知情人士透露，韩国SK海力士（SK Hynix）正与英特尔（Intel）商讨一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。
消息人士称，一种可能的方案是SK海力士租赁英特尔在俄亥俄州规划已久的芯片制造工厂的部分设施。其中两位消息人士表示，另一种方案则是SK海力士与英特尔及有意锁定存储芯片供应的大型云服务商组建合资企业。
若能达成协议，将缓解英特尔（Intel）目前面临的困境，同时也将成为特朗普政府的一大胜利；随着人工智能（AI）和数据中心领域的持续投入引发存储芯片严重短缺，特朗普政府正不断施压芯片制造商在美国本土建厂。
但消息人士指出，来自首尔方面的潜在反对可能构成重大障碍。
其中一位消息人士形容目前的谈判尚处于探索阶段，并强调尚未做出任何决定，同时补充称 SK 海力士（SK Hynix）也可能考虑其他交易架构。
有关 SK 海力士与英特尔潜在交易架构的细节系首次曝光。不过，路透社未能获悉一旦达成协议，SK 海力士可能在俄亥俄州生产何种类型的芯片。
该公司的产品线涵盖用于服务器、个人电脑（PC）和智能手机的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片，以及提供长期数据存储功能的 NAND 闪存芯片。此外，它还是用于 AI 处理单元的高带宽内存（HBM）的主要供应商。
三位不愿透露姓名的消息人士表示，任何涉及生产 HBM 或 DRAM 等先进存储芯片的协议，都可能遭到韩国政府的反对，因为这些技术被视为敏感技术。
SK 海力士在致路透社的一份声明中表示，公司正在“评估包括建立额外生产基地在内的各种措施，以增强其存储业务的竞争力”，但“现阶段尚未做出任何决定”。
英特尔拒绝对其所谓的“猜测”置评，但补充称公司正继续在俄亥俄州进行投资，以推进该厂区的筹备工作。
针对SK海力士（SK Hynix）可能在美国生产芯片的计划，韩国产业通商资源部表示，任何决定均由公司自行做出；但若涉及“国家核心技术”，则须根据《产业技术保护法》接受审查。
美国商务部未回应置评请求。
据两位知情人士透露，在美国制造半导体的成本远高于韩国。其中一人指出，在美国建厂意味着劳动力和建设成本大幅增加，且半导体行业的大部分供应链位于亚洲，这也推高了美国的成本。
尽管如此，SK海力士仍有充分理由寻求在美国制造芯片——该公司于今年7月在纳斯达克完成了二次上市，目前仅在印第安纳州有一处在建的芯片封装设施。
SK海力士所属的SK集团（SK Group）董事长崔泰源（Chey Tae-won）曾在7月表示，公司面临着来自客户和各国要求增加芯片供应的巨大压力及游说。
“我认为我们需要在美国建厂。如果条件允许，我认为应该建，”他对记者说道。
与SK海力士达成协议也有助于缓解英特尔（Intel）的部分财务压力，而英特尔的部分股权由美国政府持有。
英特尔曾于2022年宣布，将投资高达1000亿美元在俄亥俄州建设可能成为全球最大的芯片制造基地，并计划于2025年投产。然而，该基地两座工厂的完工时间随后被推迟至2030年和2031年。
不过，要同时满足华盛顿和首尔的需求可能并非易事，尤其是因为韩国政府正敦促SK海力士及其竞争对手三星电子（Samsung Electronics）加快在韩国西南部建设新芯片制造集群的计划。美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）威胁称，除非韩国和台湾企业承诺在美国本土增加产能，否则将对其实施高达100%的关税。
双方还在就韩国去年向美国做出的一项巨额投资承诺的落实问题进行博弈；该承诺旨在换取美国降低关税。在拟议的3500亿美元投资总额中，约1500亿美元已指定用于造船业，但剩余的2000亿美元投向尚无定论。
据两位知情人士透露，这使SK海力士（SK Hynix）陷入了进退两难的境地：韩国政府试图将SK海力士的赴美投资作为谈判筹码，而华盛顿方面则施加巨大压力，要求该公司尽快承诺在美国进行扩张。
（来源：内容来自半导体芯闻综合）
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