长鑫科技G6内存前瞻：无EUV路径下的密度突围与3D愿景

【区角快讯】在半导体国产替代的深水区，长鑫科技凭借十年深耕，已稳居全球DRAM第四大生产商位置。随着G5代内存平台亮相，其技术指标虽较三星、SK海力士及美光等巨头当前量产产品落后约半代至一代，但核心突破在于彻底摆脱对EUV光刻机的依赖，标志着技术迭代节奏从“三五年一代”迈入常态化快车道。

针对备受瞩目的G6代技术平台，技术专家Frederick Chen给出了详细预测。数据显示，G6预计将Cell面积从G5的0.00128205平方微米进一步压缩至0.000896平方微米，降幅达30%。尽管这一缩减幅度略低于G3至G4时期的36%，但在工艺逼近物理极限的背景下，仍具显著意义。生产工艺方面，G6将继续深化DUV（193i）结合SAQP（自对准四重图案化）的技术路线，部分层级采用SADP（自对准双重图案化）。值得注意的是，Bonded键合工艺的引入将成为新变量，旨在通过堆叠技术进一步提升芯片密度。此前Intel等企业虽尝试过类似组合，但因迅速转向EUV而未深入挖掘该路径潜力；相比之下，长鑫科技在内存价格暴涨带来的成本摊薄机遇下，正全力打磨这套非EUV方案。

时间线上，G6工艺有望于2028年问世，这极可能是6F2内存结构的最后一代演进。随后的G7工艺预计在2030年后推出，或将首发4F2结构内存。然而，4F2架构的生命周期预计不超过三代，最终行业将全面转向3D DRAM。目前，长鑫科技已在开发层数超过64层的3D内存技术。尽管整体水平仍与三巨头存在约一代产品的差距，但相较于过去落后10年、多代的局面，这一差距正在快速缩小。鉴于三巨头受利润导向限制，2030年前扩产意愿有限，长鑫科技凭借迫切的扩产决心与技术追赶势头，未来在新节点量产乃至首发新技术上具备极大可能性。