靠近板边：USB接口需伸出板边3~5mm，便于插拔（图2）。
ESD与共模电感布局：ESD器件应紧邻USB接口，距离接口≤1.5mm，后接共模电感和阻容滤波电路（图2）。 
图3 差分打孔换层处添加GND孔
图4USB的布局
优先内层走线：减少外部电磁辐射，确保下方有完整地平面。
禁忌：避免跨分割，否则导致阻抗突变和噪声耦合。
减少换层：过孔会增加寄生电容，建议换层次数≤2次。
添加回流地孔：每次换层时，在差分孔旁放置一对地孔，提供低阻抗回流路径，降低信号完整性风险。
差分对内等长：长度偏差≤5mil，USB 3.1建议≤2mil。
对间间距：保持≥4倍线宽，防止串扰。
独立电源层：为VBUS（5V/12V/20V）划分独立电源区域，避免与高速信号层重叠。
滤波电容布局：VBUS引脚就近放置10μF+0.1μF电容，滤除高频噪声。
CC引脚布线：需匹配阻抗（90Ω），长度与其他差分对一致，确保协议通信稳定。
VBUS路径：大电流路径（如20V@5A）需加宽至80mil以上，并采用网格铜降低温升。
原因：阻抗不连续或回流路径不完整。
解决：优化过孔旁地孔数量，检查参考平面完整性。
原因：差分线裸露在外层或包地不充分。
解决：内层走线+两侧包地，接口处增加屏蔽罩。
END
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