三星强调，正在研发4F² DRAM

14日，在首尔江南区COEX举行的第28届半导体展览会（SEDEX 2026）开幕式上， 三星电子首席技术官（CTO）兼总裁宋载赫在回答记者关于三星电子是否也在开发4F²技术的问题时回答“是” 。

对于具体的研发进展，他们守口如瓶，只表示正在“努力”。他们明确表示，决心不失去在4F²技术领域的领先地位，这项技术已成为全球存储器市场的热点话题。

4F² 是一种新一代单元结构技术，它大幅缩小了单元面积，从而在相同的芯片面积内容纳更多数据。CXMT 出人意料地宣布计划推出采用该技术的服务器 DRAM，这引发了业内对中国在存储技术领域迎头赶上的担忧。前一天，三星电子和 SK 海力士的股价也在股市暴跌。

三星电子表示，他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究 。在内部， 他们正在将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式，这种形式将单元结构垂直排列。

据业内人士透露，三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”。该项目内部代号为“D0a-V”。随着CXMT公司宣布这一意向，业界预计将更加关注三星向下一代工艺过渡的举措。

在2026年SEDEX展会上，三星电子以“人工智能系统设计”为主题，搭建了包括云端人工智能、边缘人工智能、物理人工智能和半导体集群在内的六大展区，展示了其前沿解决方案。 新改革党代表李俊锡也参观了展会，并与三星社长宋永昌和SK海力士开发社长安铉一同参观了各大公司的展位。

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