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长鑫科技发布前三季度业绩预告，归母净利润区间1310亿元至1325亿元，实现同比扭亏为盈。
刚刚，国产DRAM龙头长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告。公告数据显示，公司预计报告期内归属于上市公司股东净利润落在1310.00亿元至1325.00亿元区间，对比去年同期实现扭亏，业绩大幅反转的背后，既是全球存储行业景气上行的周期共振成果，也是国内DRAM产业完成技术落地、产能爬坡之后兑现商业价值的标志性事件。从营收端来看，公司预计前三季度营业收入2650亿元—2700亿元，营收规模同样实现跨越式增长，量价齐升逻辑在长鑫的经营数据上得到印证。
本轮盈利上行的核心驱动力，始于2025年下半年开启的全球存储景气周期，生成式AI算力基础设施建设催生了海量内存需求。AI服务器对于DRAM的搭载容量远高于传统通用服务器，云厂商、算力运营商持续加码硬件采购，直接拉动服务器端DRAM消耗抬升。与此同时，三星、SK海力士、美光三大全球存储巨头持续调整产能结构，将大量先进制程产线资源向HBM高带宽内存倾斜，挤压通用DRAM的供给释放节奏，造成全球通用DRAM供不应求、产品报价持续上行。一增一缩之间，DRAM产品价格大幅上涨，身处行业之中的长鑫科技直接吃到本轮周期红利。
行业景气红利之外，长鑫自身产能利用率抬升、工艺迭代带来的良率改善、规模效应释放，是支撑业绩兑现的内生基本面。长鑫在报告期稳步推进产线运维与工艺升级，单位晶圆裸片产出能力持续提升，高位运行的产能利用率摊薄单片制造成本。不同于周期上行阶段单纯受益涨价的盈利波动，持续多年的研发投入，正在优化公司产品结构。目前长鑫已经完成DDR、LPDDR多条产品线布局，产品覆盖服务器、智能手机、PC、汽车电子等多元终端市场，不再依靠单一赛道消化产能，多场景客户拓展与上下游产业链协同落地，进一步保障产销规模稳步扩张。
放到全球DRAM产业格局视角观察，长鑫盈利大翻身具备更深一层产业意义。长久以来全球DRAM市场属于极高壁垒寡头赛道，资本开支沉重、工艺迭代门槛高、良率爬坡周期漫长，三星、SK海力士、美光长期把持全球九成左右市场份额，行业新进入者突围难度极大。长鑫是国内实现DRAM自主量产突破的核心主体，按出货口径位列全球第四大DRAM原厂，在全球存储供给版图中成为稳定的中国供给变量。在全球供应链不确定性提升的大背景下，国产DRAM产能稳定释放，为国内服务器终端、消费电子产业链提供内存供给备选，是半导体供应链自主可控进程重要一环。
也要客观看到行业周期属性带来的中长期挑战。存储行业具备鲜明周期性，景气上行不会无限延续，后续供需格局转变、产品价格回落都会直接压缩原厂盈利空间。当前市场主流判断认为本轮景气行情将出现结构性分化：HBM、服务器DRAM紧缺持续性较强，普通消费级DRAM供需弹性更大。持续加码高端产品研发、切入高附加值存储赛道，是长鑫需要长期推进的命题。
从国内半导体产业长线视角，本次业绩预告印证存储赛道国产IDM模式走通了商业闭环。DRAM产业从技术突破、产能建设、良率爬坡、客户验证再到大批量出货盈利，链条漫长，前期持续大额资本开支之下大多处于亏损状态，长鑫实现扭亏，也给国内其他存储器件项目提供可参照路径。随着盈利能力释放，企业也拥有更加充足现金流反哺工艺研发与产线建设，形成经营正向循环。
