破天荒！三星与台积电合作造HBM4E

破天荒！三星与台积电合作造HBM4E图1

三星电子已决定采用全球最大晶圆代工厂——台积电（TSMC）的制造工艺，来生产“基础裸片”（base die）。该组件是三星正在为英伟达（NVIDIA）开发的下一代定制化高带宽内存（HBM）中的核心部分。此前，三星一直自行完成HBM的全部生产工作，涵盖了作为存储芯片的“核心裸片”（core die）以及充当系统半导体功能的“基础裸片”。为了满足英伟达的技术要求，三星正在改变其以往“全包式”（turnkey）的生产模式。

据业内消息人士10月18日透露，英伟达已要求其HBM供应商——三星电子、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）——在生产“NVHBM”（英伟达于今年8月发布的一种定制化HBM解决方案）时，使用台积电的3纳米（nm）工艺来制造基础裸片。此外，英伟达还要求核心裸片采用第6代DRAM工艺（即1c工艺）进行标准化生产。NVHBM基于下一代HBM标准——HBM4E的架构。

英伟达提出这一要求的原因在于，如果各家HBM供应商采用不同的制造工艺，将难以确保最终产品在性能上保持一致。同时，这种做法也减轻了英伟达针对不同供应商分别进行产品验证的负担。经过内部评估，三星电子负责半导体业务的“设备解决方案”（DS）部门（该部门旗下也包含三星自有的晶圆代工业务）决定接受英伟达提出的要求。

尽管三星电子曾于四年前与台积电合作，确保其HBM产品与台积电的封装工艺相兼容，以便集成至图形处理器（GPU）中，但此次合作标志着双方首次在HBM的实际制造阶段展开携手。对于标准版HBM产品，三星仍计划维持其“全包式”的生产策略。对于已于今年早些时候率先实现全球量产的第六代HBM4，以及目前正处于量产验证阶段的第七代HBM4E，三星电子均采用其自有的4nm代工工艺来制造基础裸片（base dies）。这两款产品的核心裸片（core dies）也由三星电子负责生产，所用产线为其位于华城（Hwaseong）和平泽（Pyeongtaek）园区的1c工艺生产线。

三星电子计划针对AMD等客户所定制的HBM产品，继续沿用“交钥匙”（turnkey）式的一站式服务模式。此外，三星电子也并未排除利用自身代工业务来开发和生产NVHBM（即面向英伟达的定制化HBM）的可能性。一位业内人士指出：“三星目前正在评估是否能利用自有的代工产线为NVHBM制造基础裸片。”该人士补充道，此举可作为一种应急方案，以应对NVHBM需求超出台积电（TSMC）产能的情况。

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