存储格局生变：长鑫DDR5亮相，韩系垄断或迎终结

【区角快讯】全球半导体周期波动剧烈，近期存储芯片价格飙升令三星与SK海力士财报亮眼，但中国本土力量的崛起正重塑市场预期。10月9日至10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海召开，长鑫科技总裁曹堪宇披露重磅进展：计划年内推出基于4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。该方案采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管，通过特殊结构强化栅极控制以抑制漏电，目前长鑫已持有超300件相关专利族。同期，三星电子确认其4F² DRAM技术开发完毕，量产节奏将依据下游核心客户需求协调推进。尽管外界一度解读长鑫在量产进度上领先三星约两年，但行业观点趋于理性。Rosenblatt报告指出，判定长鑫取得决定性技术领先尚早，韩系厂商底蕴犹存；美国银行研究则认为，此前先进设备出口限制反而促使长鑫聚焦单元结构创新，规避对高端光刻依赖，探索出差异化自主迭代路径。多位分析师强调，这一突破为DRAM降本增效开辟新路。随着产能释放，预计两三年内韩系长期垄断格局将被打破，国内厂商有望逐步掌握价格话语权。这不仅是产能竞赛，更是技术路线多元化的关键验证。