SK海力士iHBM革新散热架构，热阻拟降30%

【区角快讯】快科技10月22日报道，存储巨头SK海力士正式确立其下一代高带宽内存（HBM）的技术路线，将其命名为iHBM。这一命名的核心逻辑在于彻底重构散热机制：摒弃传统依赖外部冷板与散热器被动导热的模式，转而将散热结构直接内嵌于内存封装内部。鉴于HBM采用多层DRAM裸片堆叠在基础裸片之上，并通过硅中介层连接封装基板及电路板的复杂层级结构，热量往往积聚于堆叠中心。由于热流仅能向上下两端传导，路径漫长且环节众多，导致中间层散热尤为困难，热阻数值居高不下。针对这一痛点，iHBM方案引入集成散热元件（ICE），巧妙部署于芯片间物理接口层（D2D PHY）。该位置天然贯穿整个堆叠体，相当于在内部开辟了一条就近散热的高速通道，据称此举可将整体热阻降低多达30%。目前，SK海力士正积极与本土及海外材料、设备供应商就量产事宜展开磋商。尽管当前主力仍聚焦于HBM4，但iHBM已被规划应用于未来的HBM5世代。工艺方面，预计沿用现有的MR-MUF批量回流模塑底部填充技术，供应链体系大概率维持现状，无需另起炉灶。不过，关于iHBM的具体量产节点及其在HBM5上的实际应用时间表，SK海力士尚未给出明确答复，相关讨论目前仍局限于供应链筹备层面。