对话锐博半导体｜从800V高压平台到AI数据中心，探索功率半导体封装新机遇

2026年10月15日，由PCIM Asia Shanghai与香港科技园公司（HKSTP）联合举办的“Power Electronics Innovation Across Asia”亚洲电力电子创新专题峰会在香港科学园举行。 活动汇聚来自电力电子、功率半导体、新能源及先进制造领域的企业代表、行业专家与科研机构，共同探讨技术创新、产业协同与商业化应用的发展机遇。

锐博半导体（REB Semiconductor）受邀参与本次峰会，并在商业路演（Business Pitching Session）环节中，由市场经理Bruce Lin代表公司登台，围绕企业技术能力、功率半导体封装解决方案、产业化进展及全球化发展战略展开宣讲。

本次峰会以推动电力电子技术从研发创新走向商业化应用为核心议题，为产业链上下游企业提供技术交流与合作平台。

在路演分享中，Bruce Lin介绍了锐博半导体在半导体封装设备领域的技术积累与业务布局。

锐博半导体成立于2012年，总部位于深圳，是中国最早进入光通信贴片领域和功率半导体超声波焊接领域的设备厂商。公司长期专注于半导体封装的关键工艺环节，构建了覆盖精密机械、运动控制、机器视觉及封装工艺的核心技术体系，相关技术应用于高精度固晶（点胶固晶与共晶焊接）及大功率超声波焊接等领域。

经过持续的技术研发与产业化实践，锐博半导体已在光通信及半导体封装领域形成成熟的核心技术体系与工艺解决方案，相关设备广泛应用于行业头部客户的关键生产环节，并持续推进面向下一代光互连、功率半导体及先进封装应用的技术开发。

随着新能源汽车、新能源发电、储能及AI数据中心持续发展，IGBT、SiC等功率半导体器件正向更高效率、更高功率密度及更高可靠性方向演进，对封装互连工艺的一致性、稳定性及生产效率提出了更高要求。

针对上述行业需求，锐博半导体在本次路演中重点介绍了UT-600系列超声波焊接设备及其在功率半导体封装领域的应用。

该系列设备面向IGBT、SiC功率模块制造，覆盖功率模块端子、Pin针等关键连接工艺，通过超声波焊接技术与自动化工艺控制，为客户提供高可靠性的封装互连解决方案。

目前，锐博半导体功率半导体封装设备已进入国内头部新能源企业供应链，并实现批量订单与生产线部署，推动相关技术从工艺验证走向规模化生产应用。

依托高精度运动控制、焊接工艺开发及自动化系统集成能力，公司正持续拓展功率半导体封装设备产品体系，进一步提升面向新能源汽车、新能源电力电子及先进制造产业的技术服务能力。

除技术创新与产品应用外，Bruce Lin还在路演中介绍了锐博半导体的全球化布局及未来发展规划。

目前，公司已形成以深圳总部为核心、香港研发中心与马来西亚制造及服务基地协同发展的业务布局，逐步构建面向国内外客户的研发、制造、交付与技术服务体系。

依托现有光通信封装设备业务基础，锐博半导体正进一步加大在功率半导体与先进封装领域的研发投入，通过产品创新、国际市场拓展及产业链合作，推动业务持续发展。

近年来，人工智能基础设施、新能源汽车及高效电力电子系统的快速发展，正在加速功率半导体技术路线与制造工艺的升级。

从AI数据中心800V直流供电架构，到新能源汽车800V高压平台，再到SiC功率器件的规模化应用，产业竞争正逐步从单一器件性能延伸至系统效率、封装可靠性及制造能力。

围绕当前功率半导体产业的技术热点与发展趋势，PCIM Asia对锐博半导体市场经理Bruce Lin进行了专题访谈，深入探讨封装技术与设备在产业升级中的应用价值及未来发展机遇。

我们认为，AI算力需求的持续增长，正在推动数据中心从传统的信息基础设施向高功率密度、高能效的计算基础设施加速演进。

随着GPU集群规模扩大及单机柜功率不断提升，传统供电架构在电能转换效率、传输损耗及系统集成度等方面面临新的挑战。

近年来，以800V DC为代表的高压直流供电架构受到越来越多关注，其核心目标是通过提高配电电压、优化电能转换链路，满足下一代高密度AI计算系统的供电需求。

这一趋势将进一步推动SiC、GaN及高性能硅基功率器件在不同电能转换环节中的技术创新。同时，更高的功率密度与运行可靠性要求，也将对功率器件的散热管理、封装互连及长期可靠性提出新的挑战。

对于封装设备企业而言，我们认为，未来的竞争不仅在于器件本身的性能提升，更在于如何通过稳定、可重复的制造工艺，将技术优势转化为规模化生产能力。

锐博半导体长期关注功率器件封装工艺的发展。随着AI基础设施带动电源系统升级，我们将持续跟进相关功率模块的封装需求，重点关注高可靠性连接工艺、自动化制造以及生产过程的数据追溯能力，为未来的技术迭代做好准备。

800V高压平台是新能源汽车电驱动系统的重要发展方向之一。随着整车企业持续追求更高的能源利用效率、更快的补能速度以及更高的系统功率密度，SiC功率器件凭借耐高压、低开关损耗及高效率等优势，在高压主驱逆变器等领域展现出越来越明显的应用价值。

但我们认为，SiC与IGBT并不是简单的替代关系，而是将在不同成本与性能需求的应用场景中长期共存。

SiC在高压、高效率及高性能应用中具有优势，而IGBT凭借成熟的制造体系、成本优势及长期应用积累，仍将在大量工业与新能源汽车应用中保持重要地位。

从封装制造角度来看，器件性能的提升也意味着对封装技术提出更高要求。特别是在高电流密度、频繁热循环及复杂工况下，功率模块内部连接结构的可靠性、焊接一致性及长期运行稳定性，都会直接影响产品性能与使用寿命。

因此，未来功率半导体产业的发展，不仅取决于材料与芯片技术的进步，也越来越依赖封装工艺和制造设备能力的提升。

我们认为，如何在保证可靠性的前提下实现高良率、高一致性的规模化制造，将成为下一阶段功率半导体产业竞争的重要因素。

功率半导体封装与传统半导体封装存在一定差异。对于IGBT、SiC等功率模块而言，除了芯片本身的电气性能，模块内部的电流传输能力、连接可靠性及长期稳定性同样至关重要。

特别是在新能源汽车、储能和工业电力电子等应用场景下，功率模块需要长期承受温度变化、电流冲击及复杂运行工况，这对端子、Pin针等连接工艺提出了更高要求。

超声波焊接作为一种固相连接技术，能够通过机械振动与压力实现金属材料之间的连接，在适用的材料及结构条件下，具有较低热输入、便于自动化集成等特点。

锐博半导体针对功率模块封装需求，开发了UT-600系列超声波焊接设备，覆盖端子焊接、Pin针焊接等关键工艺环节。

在设备设计方面，我们重点关注三个核心方向：工艺稳定性、生产自动化以及过程可追溯性。

通过全伺服控制、精确的压力与位移控制，以及深度、时间、能量等多种焊接控制模式，设备能够根据不同材料及产品结构进行工艺参数优化。同时，结合视觉定位、自动上下料及焊接过程数据管理等功能，支持客户实现标准化、自动化生产。

目前，锐博相关设备已进入国内头部新能源企业供应链，并实现批量订单及产线部署。

对于我们而言，设备的竞争力不仅在于单一技术指标，更在于能否长期稳定地满足客户的生产工艺要求。

从工艺验证到批量生产，再到长期稳定运行，是衡量封装设备价值的重要标准。

从光通信封装到功率半导体制造，从新能源汽车高压平台到AI数据中心电源架构升级，半导体封装技术正成为支撑下一代电子系统发展的关键环节之一。

面向未来，锐博半导体将继续坚持以技术研发为基础、以客户工艺需求为导向，持续推进高精度固晶、共晶焊接及超声波焊接等核心技术的创新与产业化应用。

同时，公司将进一步加强与全球产业链上下游企业的交流合作，不断提升封装设备的技术水平、生产可靠性及国际化服务能力，为全球半导体产业提供更具竞争力的先进制造装备解决方案。