美光总裁断言4F² DRAM为死路，长鑫存储面临技术路线生死抉择

【区角快讯】10月22日，快科技援引最新报道指出，美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上抛出重磅观点。他明确表示，历经二十余载研发探索，4F² DRAM架构已无可行的微缩路径，其相较于6F²的密度优势被市场过度神话。更值得注意的是，DeBoer间接暗示中国厂商长鑫存储正在推进的4F² DRAM技术将是一条死胡同，美光自身则决定跳过该阶段，坚守6F²并全力转向3D DRAM技术。这一表态直接回应了长鑫存储本月早些时候宣布的计划，即于2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存。此前，长鑫的这一消息曾引发全球存储股集体重挫，SK海力士单日暴跌超10%，三星跌超7%，市场普遍担忧中国厂商的架构突破将彻底改写竞争格局。4F²的核心思路是将DRAM单元中的晶体管与电容从平面并排改为垂直堆叠，使单元面积从6倍特征尺寸平方压缩至4倍，理论上可缩减30%至40%的芯片面积。但美光认为，真正的密度瓶颈不在单元架构，而在电容间距。DeBoer直言，部分关于4F²与6F²的比较是“故弄玄虚”，在给定电容尺寸下，4F²和6F²的优化空间并无本质差异。更现实的障碍是成本与良率。4F²需要引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难。美光的判断是：为缩小30%面积而多付50%制造成本，商业逻辑不成立。相比之下，3D DRAM将存储单元垂直排列，从结构层面突破平面极限，量产风险更低，扩展空间更大。那么长鑫为何仍押注4F²？答案不在技术优劣，而在设备约束。由于无法获得EUV光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死在有限的分辨率空间内。4F²通过垂直堆叠换取密度，是在DUV条件下继续推进制程的为数不多的工程选项。需要指出的是，行业路线已明显分裂。三星采取中间策略：2027年完成1d nm节点6F²量产，2028年底前再导入4F²；SK海力士同样在评估两条路线。美光则是最决绝的一个，直接跳过4F²，将3D1、3D2两代3D DRAM写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直HBM。