近日，美国商务部、NIST发布公告，依托《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）研发资助计划，美方与四家企业签署意向书，计划提供最高3.89亿美元（约合人民币25.94亿元）研发补助，投向高压功率半导体、垂直氮化镓（GaN）器件、超高纯度石英材料等方向，相关技术的应用场景覆盖AI数据中心、电网基础设施以及核聚变发电设施。
四份意向书对应四家不同主体，资助额度各有明确划分。
Helion拟获得最高1.75亿美元，用于研发适配核聚变装置的高压功率半导体与功率模块；
Commonwealth Fusion Systems拟获得最高8500万美元，研发射频等离子体加热、功率电子、聚变诊断以及抗辐射电子相关半导体技术；
Vertical Semiconductor拟拿到最高7300万美元，推进垂直氮化镓功率器件研发，并落地一套2.5兆瓦数据中心机架示范项目；
材料企业Sibelco拟获得最高5600万美元，开发超高纯度石英的提纯与精加工工艺，产品用于半导体晶体生长坩埚、配套工艺耗材。
《芯片与科学法案》（即“CHIPS法案”）是美国扶持本土半导体产业的顶层政策，通过补贴、研发资助两种方式持续下注。CHIPS法案整体授权约527亿美元，其中390亿美元用于制造业激励，110亿美元投向研发体系，在此之前，美国商务部已经陆续向博世、Wolfspeed等功率半导体企业发放补助，扶持碳化硅、氮化镓等宽禁带器件的本土研发与制造。
本次3.89亿美元的研发补助，属于法案框架下的研发资助资金，据公告信息，这一轮资助的核心目标是搭建本土能源半导体供应链，降低对海外供应链的依赖，强化电力转换、能源控制类器件的本土研发能力。其中垂直氮化镓项目面向AI算力基础设施，聚焦数据中心内部电能转换环节，用来匹配高算力集群持续走高的供电需求。
全球半导体观察
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