据韩国《ZDNet Korea》报道，三星电子和 SK 海力士据了解计划从 2027 年第二季度起，正式量产并出货第六代高带宽内存（HBM4）8 层产品。原因是英伟达为管控发热、保障供应链稳定，改变了拟搭载于下一代 AI 加速器的 HBM 堆叠结构和供需策略。
目前，三星电子和 SK 海力士仍以 HBM4 12 层为主力量产。HBM 是把多颗 DRAM 垂直堆叠，再用硅通孔（TSV）连接起来的内存。12 层即垂直堆叠 12 颗 DRAM。
面向英伟达的 HBM4 8 层原本不在供应计划之中，相关讨论从 2026 年第三季度起才真正展开。英伟达调整了计划于 2027 年推出的下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 的 HBM 搭载策略。
Rubin Ultra 原定搭载第七代 HBM4E 的 12 层产品。不过，英伟达正在重点评估另一项方案：在这颗芯片上并行搭载 HBM4 8 层和 HBM4E 8 层。外界认为，这是因为 HBM4 和 HBM4E 的 12 层堆叠发热加重、良率下降，已经造成供需问题。
一位知情人士说：“据我所知，英伟达会按基于 Rubin Ultra 的 NVL 机架规模，并行搭载 HBM4 8 层和 HBM4E 8 层。到 2026 年为止，HBM4 12 层仍是主力，但从 2027 年年中起，8 层所占比重将明显扩大。”
综合三星电子和 SK 海力士内外的说法，具体出货目标时间据了解在 2027 年第二季度前后。
两家公司因此正在全力准备扩大 2027 年的 HBM4 8 层出货量。据悉，制造 8 层产品所需的零部件和材料正在筹措，质量测试也在准备之中。两家已完成英伟达对 HBM4 12 层的认证，8 层产品则须另行认证。
