英飞凌官宣！业内首款车规认证1200V SiC PCB嵌入式封装方案

电子发烧友网综合报道高压嵌入式功率芯片，英飞凌正式官宣了！10月27日，英飞凌发布ENDOPACK品牌及其首款产品ENDOPACK Cell，英飞凌称其为业内首个通过车规认证、可直接集成进PCB的高压芯片嵌入方案，把1200V Automotive Gen2p CoolSiC MOSFET直接做进了电路板里。

传统车规功率模块的构造几十年没变，芯片焊在覆铜陶瓷基板上，靠单层覆铜和架空键合线走电，再灌封成标准件焊到PCB。IGBT时代这套结构够用，但SiC的开关速度是IGBT的5到10倍，di/dt、dv/dt同步抬升，20nH量级的寄生电感无法忽视，成为造成电压过冲、桥臂串扰、栅氧寿命低的原因。更棘手的是模块几何被外壳锁死，换个功率等级就得重新设计验证，功率级始终是平台化最难复用的那块。

ENDOPACK Cell 芯片不放在基板上，而是直接嵌入PCB内部，用铜填充微孔和厚铜层把电极垂直引到多层铜箔，取消键合线。回路电感从约20nH降到2nH以下，开关损耗降低30%，CLTC工况下逆变器效率约99.5%。基于原型与仿真数据，峰值功率密度可达200kW/L，整车层面有潜力带来约7%的续航提升。

热管理同样受益，铜填充微孔与厚铜层的截面积远大于键合线，热量可直导铜层并双面扩散；英飞凌在48V系统上公布的芯片嵌入实测是热阻降45%-50%、导通电阻降25%-35%，高压绝对值不同，趋势一致。

对工程师更友好的是，Cell能与栅极驱动、电流传感器同板布局，把过去分散在模块、母线与驱动板上的回路收进一块板里。

借助嵌入式封装，芯片数量与摆放位置可按功率和空间调配，几何不再由模块外壳决定，多颗Cell能集成进同一块PCB。功率等级于是从“开什么模”变成“放几颗芯片”，一张设计可跨功率段、跨平台、跨代复用，开发周期最快缩短至三分之一；产线还具备“设计无关性”，不必为每款逆变器重调工艺。

ENDOPACK不是一个型号，而是英飞凌注册的品类商标，覆盖不同电压等级、形态与应用。

这条路从2018年electronica上与Schweizer合作展出芯片嵌入技术起算，最初只用于48V低压；从48V到1200V，跨的是高压绝缘、热膨胀匹配与车规验证三道门槛，多年低压量产经验正是它敢说“量产就绪”的底气。

在这个赛道上，目前纬湃、Schweizer的p²、博世的S-Cell兼容单元、Fraunhofer IZM与保时捷的Dauerpower各有方案，而国内斯达半导、瞻芯、森国科、派恩杰也已入局，关键指标正趋同到1-3nH、200kW/L上下。

写在最后

官方口径称ENDOPACK Cell 已具备量产条件、2027年装车。当良率、可靠性与器件厂、PCB厂、Tier1三方协同都同时过关，PCB嵌入式封装才有机会从高端选配，变成下一代800V平台的标准答案。

英飞凌官宣！业内首款车规认证1200V SiC PCB嵌入式封装方案图2

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