得一微，五获"中国芯"！

AI-MemoryX存力主控YS9503荣获“优秀技术创新产品”奖

在AI算力需求从云端向端侧迁移的背景下，端侧AI体验越来越取决于存储子系统能否持续、稳定地供给数据，存力主控的技术创新正成为其中的关键环节。

此次获奖的YS9503芯片，基于得一微电子AI-MemoryX智能存力架构，从制程与电路架构层面协同优化，在无独立DRAM缓存的精简设计下实现旗舰级性能：顺序读取14.8GB/s、顺序写入14.3GB/s，随机读写均达300万IOPS，并搭载分离命令地址（SCA）技术提升高并发场景下NAND接口效率，保障AI数据吞吐场景下芯片与闪存间的高效传输。同时，YS9503有效降低了物料成本与主板布局复杂度，并在功耗与散热方面表现出色，轻薄型设备无需额外散热配置即可完整释放PCIe Gen5带宽，让高性能AI存储能力得以进入更多样的终端形态。

得一微电子AI-MemoryX智能存力架构并非传统缓存加速，而是将存储控制器从被动数据通道升级为面向推理的存算协同层。

该架构集成NDP近数据处理加速引擎，在控制器内完成数据预处理与轻量级计算，降低数据搬运开销；通过注意力感知预取技术，将AI推理过程中碎片化随机小I/O整合为连续数据流，实现MoE专家权重流式加载与切换，避免显存瓶颈；通过KV Cache预测性智能分层加速技术，将高频数据驻留在高速缓存区、低频数据自动卸载至SSD闪存层。SSD由此成为显存的弹性扩展层，为本地AI计算提供不间断的数据供给。

依托AI-MemoryX智能存力架构，可为端侧AI打造高性能、低功耗、易扩展的存储-计算协同底座，端侧设备由此具备支撑本地大模型推理所需的数据吞吐能力，推动AI大模型在终端高效规模化落地。

从AI手机到AI PC，从智能汽车到智慧工业，端侧智能化浪潮持续推进，存储的角色正在从数据“仓库”转变为算力的“加速器”。得一微电子以“AI存力芯片”为核心战略，围绕存储控制、存算互联与存算一体三大技术方向构建产品矩阵，全面覆盖AI手机、AI PC、AIoT、AI汽车及AI Infra基础设施等领域，为端侧AI应用提供全场景底层存力支撑，让每比特数据创造更多智能价值。

得一微电子将持续聚焦AI计算场景下的内存共享、存储架构与高速互连的全栈协同，深耕存力主控芯片技术创新与产业化落地，为全球AI产业释放更澎湃的存力动能。