美暂缓SK海力士大连扩产许可，纽约千亿建厂计划生变

【科技纵览】北京时间11月4日，路透社援引知情人士消息披露，美国官方对SK海力士在华产能扩张所需的芯片制造设备出口许可予以推迟。这一行政阻滞，令该企业位于纽约州的新存储芯片工厂筹建工作陷入更为复杂的局面。目前，SK海力士正积极申请相关许可证，旨在为大连基地补充制造装备。企业方面强调，提升大连工厂产出能力，可为其在美国的扩张项目筹措资金。然而，知情者指出，美国商务部尚未放行这批新证。据透露，SK海力士旗下闪存部门Solidigm原计划斥资约450亿美元，在马西市兴建两座NAND闪存工厂，随着时间推移，总投资规模或攀升至千亿美元级别。NAND闪存因具备断电数据保留特性，成为数据中心核心组件。消息源称，大连扩产许可获批与否，直接关乎纽约项目的推进节奏。自8月底起，Solidigm高管已与美方官员进行近十轮会谈。各方共识在于，SK海力士需通过在中国扩大先进NAND制造规模以获取收益，进而支撑美国建厂及维持全球竞争力。上周会议中，美国商务部副部长杰弗里·凯斯勒重申立场，美方不愿允许更多本土设备进入中国用于升级或扩建产能。尽管未正式拒签，但大连工厂洁净室空间填补及设备运维谈判仍在胶着。Solidigm联席CEO理查德·钦曾与商务部长霍华德·卢特尼克、凯斯勒会面，美方官员对潜在投资表现出浓厚兴趣并急于促成交易。随后，Solidigm多次修改申请草案。此外，SK海力士代表亦接触财政部，以期获得对外投资限制豁免，但财政部态度审慎，选择观望商务部动向。Solidigm最新声明仅表示正在评估全球建厂方案，暂未确定最终策略。从地缘政治与产业博弈的角度审视，此次许可延迟折射出美国在半导体供应链上的双重标准困境。一方面试图吸引高端制造回流本土，另一方面又严格限制技术外溢至竞争对手区域。这种政策不确定性不仅增加了跨国企业的合规成本，也可能延缓全球存储芯片产能的优化布局，使得技术迭代与市场平衡面临更大挑战。