存储厂商，149亿元启动扩产

在AI服务器与车用电子需求推升存储景气度的背景下，存储产业链近期出现两条动态。中国台湾存储大厂华邦电董事会通过逾731亿元新台币（约合人民币149亿元）的资本支出案，启动高雄厂第二期（KH9B）扩建；市场传出晶圆代工龙头台积电应英伟达要求，正评估切入3D DRAM制造。

近期，华邦电总经理陈沛铭表示，为顺应AI服务器、网通与车用电子等高端应用需求成长，董事会已通过731.63亿元新台币（约合人民币149亿元）的资本支出预算，主要用于高雄厂第二期（KH9B）新厂建设及长交期关键设备采购，内部预计于12月29日举办动工仪式。公司董事长焦佑钧在公开场合说明，这笔扩产并非为当前这一轮景气周期而设，而是为2031年及2032年的下一波景气攀升预作准备。

产能规划上，高雄厂第一期（KH9A）到2026年底月产能将拉升至2.4万片，较第三季度的1.6万片明显增加，并预计在2027至2028年维持满载运作。新建的第二期厂区规划产能约为第一期的两倍，总月产能预计达5万至6万片，全面导入20纳米与16纳米制程。第二期预计2029年下半年开始少量出货，2030年实现产能全面释放。华邦电表示，已与众多战略合作伙伴签署长期供应协议，锁定未来数年产能。

在产品线上，华邦电透露，公司定制化存储器解决方案（CMS）第三季度营收季增50%、年增约7倍，正推进16纳米制程，月产能将由约2000片提升至1.6万片乃至2.4万片，预计2027年下半年16纳米产品占CMS比重突破40%。Flash业务第三季度季增34%、年增200%，主攻24纳米制程，在512Mb以上高密度NOR Flash领域全球市占率约六至七成，AI服务器单个机柜架构（Rack）需配置超过600颗512Mb以上Flash。利基型DRAM方面，随着三大原厂淡出传统DRAM，华邦电成为少数能持续稳定供应DDR3、DDR4的厂商。

与华邦电的确定性扩产形成对照的，是台积电在存储领域的一则未获证实的消息。据《The Information》援引知情人士报道，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始起草生产3D DRAM的计划。3D DRAM通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对AI算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。报道称，台积电正评估新建专用工厂或收购现有厂房改造两种路径，项目由负责先进封装业务的副总经理徐国晋牵头，其此前曾担任美光科技中国台湾区董事长。

台积电的官方回应保持了审慎措辞，表示不评论市场传闻或臆测，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务。公开专利信息显示，台积电在3D DRAM领域确有积累，2020年已申请涉及高密度3D DRAM单元及电容器结构的美国专利，2025年又公开了垂直式DRAM结构与制造方法专利。

华邦电董事长焦佑钧对这项传闻给出了他的看法。他认为台积电现阶段投入3D DRAM的可能性并不高。焦佑钧提出两点理由：其一，台积电的企业文化是“不会做半吊子”，若真决定投入新领域，通常会低调准备至技术成熟、人才到位后才对外公开，而非在准备阶段就让消息流出；其二，台积电与三星、SK海力士、美光三大存储原厂目前保持着紧密的合作关系，若自行切入DRAM领域，等于与现有重要伙伴形成直接竞争，将令产业合作变得更为复杂。焦佑钧同时强调，其观点基于个人对产业的观察与推测，并未掌握任何内部消息。