2025 年，我们初心如磐，再度为您打造技术与应用的饕餮盛宴：
新品与技术革新：
专业分享英飞凌功率半导体创新产品，揭秘新一代CoolSiC™ MOSFET技术革新亮点。
技术特性与应用设计：
深度剖析最新功率半导体器件技术特性，探讨系统应用设计关键要点。
热门赛道趋势解读：
聚焦风、光、储、充、数据中心等热门领域，深度解读新能源与工业应用发展趋势。
趋势引领与边界突破：
洞察功率半导体发展趋势，预见性能突破新边界。
2025 年 8 月-9月，非凡功率，创新方案，共助绿色能源“芯”变革！诚邀您拨冗出席！
8月19日
西安站
8月21日
济南站
8月26日
宁波站
8月28日
南京站
9月2日
武汉站
9月4日
深圳站
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精彩话题一览
CoolSiC™ MOSFET 新一代G2的特点及设计要点
如何应用新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率
CoolSiC™ MOSFET 的高可靠性驱动电路设计
新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 的并联及测试要点
使用新一代H系列单管IGBT设计高效新能源系统
230kW/460kW 高效组串式PCS的IGBT模块方案
组串式光伏逆变器方案及系统应用设计
中功率IGBT产品及风光储的集中式解决方案
新一代XHP封装及大功率IGBT&SiC产品方案介绍
英飞凌高压器件产品技术与应用
*演讲话题将依据不同地点略有调整
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