英飞凌大功率应用EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块介绍

英飞凌工业半导体 2025-08-06 17:29

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块,搭载了1200V SiC MOSFET M1H芯片,以高功率密度、高效率及高可靠性的独特优势,成为大功率应用的理想选择,助力工业电源、可再生能源及电动商用车等领域。


英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块,具备 175℃过载耐温能力,可在苛刻的高温环境下可靠运行,且具有较高的栅极阈值电压,以减轻寄生导通,从而避免了额外的功率损耗和系统故障,保障工业电源、电动商用车等系统在紧凑设计中实现高效可靠运行,聚焦功率密度优化与热管理升级,助力工业系统迈向更小体积、更高能效的未来。


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