九峰山实验室化合物半导体研发再开硕果

根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

据介绍，此次推出的科研样品分为两种IP结构，一种是基于九峰山实验室完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一种是基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽MOSFET结构，已通过HTGB、H3TRB，HTRB可靠性检测。

湖北九峰山实验室是由湖北省人民政府批复组建，于2021年4月在武汉市东湖开发区注册成立的化合物半导体研发创新中心。九峰山实验室在碳化硅沟槽结构IP、模型仿真及沟槽关键工艺开发方面做了大量研究和储备，系统性解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET的多项工艺难题。

此外，九峰山实验室在氮化镓领域也已结出多项成果，如国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底。

今年3月，由该团队牵头突破的全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台正式发布后，已有30余家国内半导体企业通过该平台与九峰山实验室展开合作。