随着单体芯片大小触及光罩尺寸限制，现代超高性能芯片越来越依赖先进封装实现多个功能裸晶的聚合。而对于超大规模芯片系统而言，300mm 直径的 12 英寸晶圆 (Wafer) 也终将无法满足大规模高效率量产的需求，以更大面积的面板 (Panel) 作为“舞台”的下一代先进封装正在蓬勃发展。
韩媒 ZDNet Korea 当地时间今日报道称，为与英特尔、台积电争夺超大规模芯片系统集成订单，三星电子正研发基于 415mm×510mm 尺寸长方形面板的 SoP（System on Panel，面板上系统）封装，这是一项无需 PCB 基板和硅中介层、采用 RDL 重布线层实现通信的先进封装技术。
基于FOPLP等面板级封装中积累的技术，三星电子目前正在研发尺寸为415 x 510毫米的SoP。
与SoP相对应的最具代表性的封装技术是台积电的SoW（System-on-Wafer）。整体结构与SoP相似，但不同之处在于它是封装在晶圆上而不是面板上。
对于晶圆基先进封装而言，可容纳的方形芯片系统最大尺寸约为 210mm×210mm，而 415mm×510mm 的面板则在放下一对这么大的系统之外还有富余空间。不过 SoP 封装也存在着大规模作业稳定性、边缘翘曲等一系列尚待解决的问题。
特斯拉的超级计算芯片“D1”由晶圆上的 25 个“D1”芯片组成
上述韩媒认为，三星电子积极开发 SoP 的一个原因是希望与英特尔争夺特斯拉第三代数据中心级大型 AI 芯片系统的先进封装订单，这一芯片系统包含多个 AI6 芯片，初期预计由英特尔以 EMIB 衍生工艺实现集成。
消息来源：IT之家
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