PCIe 6.0大秀，245TB扎堆，CXL技术加速，存储厂商“神仙打架”？

AI的爆发式发展，正在重塑存储技术的未来。AI大模型、生成式AI、边缘AI等应用，正推动存储向更高性能、更大容量、更高效能的方向演进。在这一背景下，存储厂商如何应对？近期，三星电子、SK海力士、铠侠、美光、闪迪、慧荣、大普微等厂商在FMS 2025（Future of Memory and Storage）交出了新的答卷。

三星、美光等多家厂商PCIe 6.0技术；铠侠、SK海力士、闪迪、美光展出200TB以上超大容量SSD、CXL互联技术发展加速、三星重启阔别七年的Z-NAND技术....可谓“高手过招”“神仙打架”，共同预示着存储正从后方走向C位，成为AI基础设施的核心变量。

PCIe 6.0的登场无疑是本次峰会的最大亮点之一。其信号速率的翻倍，为存储设备突破现有性能瓶颈打开了新的大门。三星、美光、FADU率先亮出了基于该标准的企业级SSD产品，正式宣告性能竞赛进入新阶段。

三星电子（Samsung）在本次峰会上正式公布了计划于明年初上市的基于PCle Gen6的SSDPM1763的规格。

三星方面表示，即使在25W的功率限制下，该产品也能提供2倍的性能和1.6倍的能效提升，并且在业内率先进行了SI（信号完整性）裕度分析，以解决高速带来的信号干扰问题。该产品面向企业级数据中心，采用16通道NAND架构，在25W功耗限制下实现了200%性能提升和160%能效优化。相较上一代PCIe 5.0产品PM1753，其随机读写性能和数据吞吐量显著增强，尤其适用于AI推理、高性能计算等对延迟敏感的场景。

美光（Micron）同样在性能前沿强势布局，展出了全球首款PCIe Gen6数据中心SSD——美光9650 SSD，提供高达28GB/s的表现，大幅强化AI训练与推论工作负载的处理效率。在推论阶段，高吞吐量及超低延迟对模型而言至关重要，尤其是企业级代理应用中延伸的周边视窗及搜索增强生成(RAG)流程，仰赖即时数据存取。

接着于Gen5 SSD，美光9650 SSD在功耗表现上实现突破。美光宣布9650 SSD样品现已开始送样，提供E3.S及E1.S尺寸9.5mm及15mm规格，并有空冷及液冷配置供应选择。

△图：美光9650 SSD

FADU也正式公布了其PCIe 6.0旗舰解决方案"Sierra"FC6161。这一固态硬盘主控支持至高512TB容量，顺序读写均可达28.5GB/s，随机读取6900K IOPS，在7% OP配置下可实现1000K IOPS随机写入，同时功耗＜9W。FADU同时宣布其PCIe 5.0SSD主控今年进入量产，并推出了DSPM设备自功耗监控技术和FlexSSD全流程定制化固态硬盘开发商业模式。

三星、美光、FADU同时发力，标志着PCIe 6.0从标准制定正式迈入商业化落地的前夜，新一轮的存储性能竞赛已然打响。

如果说PCIe 6.0是“速度”的代名词，那么QLC（Quad-Level Cell）技术则是“容量”的基石。为了满足AI数据湖和超大规模数据中心对存储密度的无尽追求，主流厂商纷纷将单盘容量推向了200TB以上的全新量级。

闪迪（SanDisk）在FMS2025重点展示其UltraQLC™平台解决方案，以及其里程碑式的256TB NVMeSSD。这款产品为超大规模闪存存储树立了全新标杆，专为驱动大规模AI应用的高速、智能数据湖而打造。凭借更低时延、更高带宽与更强可靠性，该产品能够满足当今AI严苛的工作负载的性能需求。

其核心创新包括了QLC直接写入(Direct Write QLC)、第八代BiCS FLASH™（Bics8）、UltraQLC™能效优化技术、可扩展的多核控制器以及数据保留(Data Retention,DR)配置文件等一系列技术，旨在解决QLC闪存在性能和耐久性上的传统挑战。据了解，SANDISK®UltraQLC™256TB NVMe™SSD将于2026年上半年推出U.2规格版本，显示出明确的商用路线图。

△图：闪迪

铠侠（Kioxia）作为NAND闪存技术的另一巨头，同样展示了其在超大容量领域的强大实力。其最新产品KIOXIA LC9系列，是业界首款245.76 TB NVMe™SSD。该产品采用32 Die堆叠的第八代BiCS FLASH™QLC 3D闪存技术。作为业界首款采用2.5英寸及企业级和数据中心级标准外形尺寸（EDSFF）E3.L两种规格的245.76 TB NVMe™SSD，KIOXIA LC9系列非常适用于生成式AI和各类企业级应用。目前，该系列SSD已开始向部分客户送样。

△图：铠侠

美光（Micron）在此赛道也未缺席，其6600 ION SSD同样将容量推向了极致。该产品的存储密度比竞争对手高出67%，每机架服务器容量超过88PB，其单盘容量高达245TB。美光强调，这款产品旨在助力超大规模数据中心和企业数据中心整合服务器基础设施，构建海量AI数据湖，同时减少存储空间、能源消耗和碳排放，直击数据中心TCO（总拥有成本）优化的核心痛点。

△图：美光6600 ION SSD

SK海力士（SK Hynix）在展会上展示了共19款NAND解决方案产品，其中就包括SK海力士首款面向个人电脑的QLC6 SSD产品PQC21；以及新推出的data center eSSD产品PS1101 E3.L，其容量达到245TB，为行业最高。

闪迪、铠侠、美光、SK海力士在245TB级别容量上的发力，预示着数据中心将迎来新一轮的存储介质迭代。

2025FMS活动中，三星电子同步宣布重启七年前曾推出的高阶NAND闪存技术Z-NAND。此次技术升级设定了新的目标：将性能提升至传统NVMe SSD的15倍，同时实现最多80%的功耗降低，旨在精准匹配AI大模型训练、实时数据处理等场景的存储需求。

新一代Z-NAND将延续「DRAM与SSD之间新型存储层」的战略定位，重点攻克AI GPU场景的低延迟瓶颈。为此，三星专门研发了GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）技术，其底层原理类似微软的DirectStorage，可让GPU直接访问存储数据，绕过CPU和系统内存，从而大幅减少传统架构中的数据中转延迟。

随着AI计算对存储吞吐量的需求呈指数级增长，三星此次技术重启意义深远。若15倍性能目标顺利达成，新一代Z-NAND将为AI训练集群、超算中心等场景提供关键支撑，有效缓解内存墙（Memory Wall）问题，推动存储技术向更高效能时代迈进。

Solidigm展出的全球首款液冷企业级固态硬盘(eSSD)获得FMS2025“最佳展品奖”，该产品专为人工智能(AI)服务器设计。

这款液冷eSSD采用了Solidigm™D7-PS1010 E1.S 9.5mm外形规格的冷板液冷技术，通过与服务器内置的液冷板直接接触，将SSD运行产生的热量通过液体传导至外部冷却系统，解决高密度SSD运行中的散热瓶颈，支持高负载下稳定性能释放（如16通道PCIe Gen5/Gen6 SSD），延长使用寿命并提升数据中心能效。

△图：Solidigm

AI服务器的“高负载、高密度、高可靠、高能效”需求，使得传统风冷SSD难以满足其存储性能与稳定性要求。Solidigm这项创新技术摒弃了存储设备历史上所需的风扇，旨在实现未来全液冷人工智能(AI)服务器的互联。

FMS 2025活动中，SK海力士共陈列了14款基于DRAM的产品，其中包括12层HBM4样品——该产品于2025年3月首次向主要客户交付，系行业首创。

SK海力士介绍道，其HBM4具备目前业界最高水平的运行速度，高达2TB/s（每秒2太字节），该产品通过优化基板设计，在改善连接HBM与逻辑半导体基础裸片性能的同时，实现更低的功耗表现。

SK海力士还展出了其他亮点产品——LPDDR5X、3DS RDIMM以及Tall MRDIMM。

△图：SK海力士产品墙

据了解，LPDDR5X是一款高价值、高性能的产品，通过垂直堆叠多个DRAM芯片大幅提高数据处理速度，性能优于传统DRAM；3DS RDIMM则是一种高带宽内存产品，它将两个或多个DRAM芯片封装在一起，并通过硅通孔（TSV）技术实现互连；而Tall MRDIMM是一款服务器内存模组产品，其基板上安装了多个DRAM芯片。通过让模组的基本操作单元——两个rank同时运行，从而提升速度。

同时，SK海力士计划构建HBM、AIN和XPU的下一代架构。

值得关注的是，CXL技术在本次峰会上被频繁提及，其作为连接CPU、内存和加速器的关键协议，正从概念走向大规模部署。CXL能够实现内存池化、内存扩展和分层存储，从而打破传统服务器的内存墙限制。

三星电子在演讲中宣布，三星电子计划在2021年首次推出CXL产品后，于今年下半年发布新产品。同时强调CXL内存和HBM技术的进步将进一步提升AI模型的性能，并且CXL内存扩展技术正在成为一种颇具前景的替代方案。

SK海力士也提到了CXL技术。SK海力士认为这是下一代解决方案，旨在整合CPU、GPU、内存等关键计算系统组件，为大规模、超高速计算提供卓越效率。

SK海力士在展会上展出了相关产品——CXL内存模组-DDR5（CMM-DDR5），以及演示了采用CXL内存池化解决方案的内存中心型人工智能机器，演示表明，与使用网络通信的系统相比，利用基于CXL内存池化的数据通信能显著提升大型语言模型推理系统的性能。

△图：SK海力士CXL

服务器和存储解决方案提供商AIC将CXL视为其AI基础架构的核心组成部分，与H3 Platform合作展出CXL存储器扩充与AI储存方案，该方案能在五台服务器间实现高达5TB的共享内存，且无需软件修改就能灵活分配内存，在高负载条件下也能维持稳定吞吐量和低延迟。

AIC成立于1996年，总部位于中国台湾，具有深厚的高密度存储服务器、存储服务器裸机和高性能计算机研发经验，近年来加速扩展AI存储应用与液冷新技术研发。

△图：AIC

H3 Platform成立于2014年，是一家总部在中国台湾的组合型基础设施解决方案领域企业，主要以PCIe和CXL技术为基础构建产品体系。

在FMS 2025活动中，H3 Platform展示了基于CXL的内存共享/池化解决方案，具备灵活内存资源池化与共享、多主机CXL内存访问等特性，优化AI和数据中心工作负载性能。

所有闪存产品的性能与功能实现，都离不开底层的控制器（主控芯片）。慧荣科技在本次峰会集中展示一系列为AI应用优化的存储主控芯片。

△图：慧荣

其中包括为AI数据中心和企业服务器设计的高性能、可编程PCIe Gen5企业级SSD主控芯片；赋能新一代AI PC的低功耗、高能效PCIe Gen5客户端SSD主控芯片；以及面向汽车智能座舱、高级辅助驾驶（ADAS）和各类边缘AI设备的UFS/eMMC主控芯片与单芯片SSD解决方案。这些产品旨在满足AI工作负载下严苛的数据吞吐量、低延迟和高可靠性要求。

此外，慧荣还展示了结合VAST Data Ceres V2 AI存储平台与宜鼎(Innodisk)集团的Aetina搭载NVIDIA MGX的服务器。

慧荣携手Unigen，展示搭载SM8366控制芯片的Cheetah高容量128TB QLC E1.LSSD及Cheetah 3.2TB SLC U.2SSD，并透过VAST Data Ceres V2 Dbox平台，呈现一套高效能且具成本效益的存储解决方案。CERES V2采用NVIDIA BlueField-3 DPU强化网络与运算效能，结合精巧的1U机型设计，为追求高扩充性与高吞吐量的关键AI部署，提供卓越的存储容量。

群联电子展出了与Supermicro（美超微）合作推出的服务器解决方案，使用美超微千万亿次级存储系列的客户将能够充分利用群联电子高容量122.88 TB Pascari D205V SSD，该固态硬盘具有独特的E3.L规格和第五代NVMe性能。最终打造的这款专用解决方案将重新定义企业基础设施中存储密度、热效率和可扩展性的可能性。

△图：群联

E3.L尺寸属于Pascari D系列中更广泛的EDSFF家族，专为高密度、高性能环境而设计，支持热插拔和前端访问。与传统的U.2和U.3设计相比，E3.L尺寸更长，容量比E3.S翻倍，同时气流和热管理也得到改进，使其成为AI训练集群、超大规模环境以及密集边缘部署的理想选择，因为这些环境对散热和空间的限制至关重要。

大普微发布并展出了多款创新产品，包括最新Gen5 low latencySSD-X5900系列、超大容量Gen5/Gen4 122TB R6060及J5060系列QLCSSD、PCIe5.0x8通道R6101 AICSSD、行业新标准E2与E3.L外形规格产品。

△图：大普微

大普微今年量产的J5060 122TB QLCSSD产品，结合先进的NAND堆叠技术和固件实力，显著降低写放大和延迟，为数据中心、云存储与AI训练提供高价值的解决方案。

另外，X5900系列是大普微全新一代low latency Gen5SSD，具备超低延迟、超高耐久度与高带宽能力，专为AI推理、高频交易、数据库加速等延迟敏感型应用场景设计，全面提升系统响应速度与算力利用率。

特纳飞展示了基于TC2300的多款产品，包括M.2SSD、BGASSD以及CFexpress存储卡，拓展多样化消费级存储市场。

TC2300是特纳飞在7月底正式推出的PCIe 5.0 DRAM-less消费级固态硬盘主控芯片。

该芯片采用台积电先进的6nm制程，设计功耗低于2.5瓦，支持NVMe 2.0规范及HMB（Host Memory Buffer）技术，有效减少主控对DRAM的依赖，节省成本且降低功耗。TC2300配备4条闪存通道，支持最高3600MT/s接口速率，兼容最大8TB的3D TLC及QLC NAND闪存，顺序读取速度高达12GB/s（12,000MB/s），随机性能达到1500K IOPS，展现出卓越的性能表现。芯片内置特纳飞专有的FlexLDPC纠错技术，确保数据完整性和闪存耐用度。

△图：特纳飞

FMS 2025无疑是存储行业发展的一个重要风向标。从各大厂商的展品和战略中，我们可以清晰地看到，AI成为存储技术演进的主要指引。无论是追求极致性能的PCIe 6.0SSD，还是探索容量边界的250TB级产品，亦或是旨在重塑存储层级（Storage Hierarchy）的Z-NAND技术，其最终目标都是为了更高效、更经济地服务于AI工作负载。

随着这些在FMS 2025上亮相的新技术逐步成熟并投入市场，全球数据基础设施将迎来新一轮的架构升级，存储行业或将加速迈入一个由数据密集型应用定义的新纪元。