8月20日，中国科学院、中国工程院公布2025年院士增选有效候选人名单，总计1299人入围，其中中国科学院院士增选有效候选人639人，中国工程院院士增选有效候选人660人。
据新华社介绍，《2025年度中国科学院院士增选指南》指出，候选人要坚持以重大贡献、学术水平、道德操守为准绳，强化满足国家发展和安全的战略需求并作出贡献的价值导向，注重领域学科间的平衡发展，着重推荐长期奋战在科研一线的科研人员。
中国工程院紧密结合国家战略需求和学科发展布局，制定了院士增选指南，突出以科技创新引领新质生产力发展要求，向国家急需的关键领域、新兴学科、交叉学科、国家重大工程、重大科研任务和重大科技基础设施建设倾斜。设置了主要用于支持国防和国家安全领域、西部边远地区以及民营科技领军企业候选人的增选名额。
在此次入围的有效候选人名单中，有多位半导体集成电路领域专家上榜，如长江存储科技控股有限责任公司霍宗亮、株洲中车时代半导体有限公司刘国友、杭州华澜微电子股份有限公司骆建军、宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军、飞腾信息技术有限公司窦强、科大讯飞股份有限公司胡国平、麒麟软件有限公司吴庆波、中国科学院上海光学精密机械研究所朱健强等。据悉，此次上榜的有效候选人在各自所处的半导体细分领域（如存储、半导体材料、功率半导体、IC设计等）均做出了重要贡献。
其中，霍宗亮现任长江存储首席科学家，长控集团创新研究院院长等职。霍宗亮于2014年加入武汉新芯，后转入长江存储负责3D NAND存储器的技术研发工作，成功完成32/64/128/2YY层的3D NAND闪存技术与产品的研发并实现量产。
姚力军是全球掌握集成电路制造用超高纯金属材料及溅射靶材核心技术的著名专家。他创建了江丰电子，其领导团队攻克了芯片制造用超高纯金属材料的提纯及溅射靶材制备的核心技术，实现了超高纯铝、钛、钽、铜等全系列先端靶材的产业化，填补了国内超高纯金属溅射靶材技术的空白，打破了国外长期垄断的局面。2025年5月，姚力军辞任江丰电子董事长等职位，但仍担任公司首席技术官。
刘国友长期从事功率半导体技术研究与产业化，自主设计并主持建成了全球首条8英寸高压IGBT芯片生产线，为我国大功率半导体、高压直流输电晶闸管技术自主可控、功率半导体产业超越式发展作出了积极贡献。
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