2025年9月8日，半导体圈传来一则重磅消息：长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立。这一消息不仅意味着我国半导体存储产业的再次进击，更是长江存储经历产业周期低谷后的一次强势回归。天眼查信息显示，长存三期注册资本高达 207.2亿元人民币，法定代表人为陈南翔。其中，长江存储科技有限责任公司持股 50.19%，湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股 49.81%。一个是国内3D NAND的技术“尖刀”，一个是背靠地方国资的资金“后盾”，这场联合无疑是一次强强联手。在全球存储芯片市场大起大落的背景下，长江存储一度承受巨大压力。价格战、技术代差、资本消耗——外界不乏质疑声。然而，如今长存三期的成立，释放出一个明确信号：长江存储不仅挺过了低谷，还要在扩产上再下一城。这背后既有技术底气，也有政策支撑。长江存储在3D NAND技术上已经实现从32层到200+层的跃迁，逐渐缩小与国际巨头的差距。随着堆叠层数不断攀升，成本有望进一步下降，这意味着国产存储芯片将在更多高端市场找到突破口。长存三期落地武汉，并非偶然。作为国家存储器基地的核心承载地，武汉早已集聚了长江存储、武汉新芯、中芯国际武汉厂等一系列重量级企业，产业链配套日趋完善。长存三期的成立，既能增强区域产业集群效应，又能促进企业间的协同合作。换句话说，它不仅是长江存储的“三期工程”，更是武汉半导体产业生态的“再升级”。未来，设计、制造、销售、进出口、技术服务一体化布局，将让这家公司具备完整的产业链竞争力。2025年《政府工作报告》明确提出，要加快集成电路前沿技术研发，推动产业链自主可控。长存三期的设立，正好踩准了国家政策的“鼓点”，既能获得政策红利，也符合整个产业发展的战略需求。放眼全球，半导体市场仍在扩张。2025年，全球半导体产业规模预计突破 6000亿美元，其中存储芯片占比超过 30%。这意味着，光存储一块市场规模就将接近 2000亿美元。在这样的背景下，谁能掌握高层数3D NAND的量产能力，谁就有机会在车规级、服务器级、AI算力存储等高端市场分得更大蛋糕。长存三期的成立，正是长江存储为下一阶段的全球竞争提前布局。在全球产业格局变动、中国存储产业承压的关键时期，长存三期无疑是一针强心剂。未来几年，它是否能帮助国产存储芯片真正打进高端市场，占据全球一席之地？答案或许很快就会揭晓。
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