9月25日，据路透社援引知情人士报道，中国大陆最大的闪存芯片制造商长江存储（YMTC） 正计划扩展至DRAM芯片制造领域，包括用于人工智能芯片组的先进版本。
HBM是人工智能 (AI) 应用的核心部件，随着这种内存芯片显著提升数据中心的数据处理速度，其需求也迅猛增长。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年170亿美元增至2030年980亿美元，复合年增长率达33%。
这一举措凸显了在美国去年12月扩大出口管制、限制中国获取HBM后，中国在先进芯片制造能力上的紧迫感。
多位行业人士和分析师表示，这一限制使得HBM芯片的供应问题对中国庞大的AI芯片产业更为关键。华为、字节跳动等中国科技巨头正在研发自研AI芯片，对HBM的需求巨大。
HBM将多个DRAM Die垂直堆叠（4-16层），并通过硅通孔（TSV） 和微凸块技术实现互联，最后通过中介层与GPU紧密封装。两位知情人士称，长江存储正在开发一种名为硅通孔（TSV） 的先进芯片封装技术，用于堆叠DRAM以生产HBM芯片。
HBM市场主要由美国美光、韩国SK海力士和三星主导，根据Counterpoint Research数据，Q2全球HBM市场三方各占据21%、62%和17%的份额，SK海力士稳居第一。
最近在DRAM涨价潮起，有分析称DRAM未来几年将迎来超景气周期，国产HBM量产也在持续加码。国内长鑫存储（CXMT）正在测试HBM3样品，计划明年正式推出。
如今则再添劲旅。其中一位知情人士透露，长江存储还在考虑将其正在武汉建设的新工厂部分产能用于DRAM芯片生产。
根据企业信息平台企查查的数据，本月早些时候，长江存储成立了一家新公司，注册资本为207亿元人民币（约合29亿美元），用于建设武汉的第三座芯片工厂。
摩根士丹利在一份研究报告中指出，截至2024年底，长江存储在武汉的两座主要NAND工厂月产能已达16万片12英寸晶圆，预计今年将再扩产6.5万片。（印科技）
