中国NAND闪存公司长江存储(YMTC)起诉美国国防部，引发人们对美国半导体监管政策可能阻碍其发展的担忧。尽管长江存储通过自主研发技术不断扩大市场份额，但据悉其在投资建设更多先进NAND闪存生产设施方面面临困难。
据路透社12月8日（当地时间）报道，长江存储已向美国国防部提起诉讼，质疑其被列入涉嫌与中国军方合作实体名单的决定。该诉讼于本月在华盛顿特区联邦法院提起，要求法院暂停将长江存储列入名单并撤销该认定。美国国防部于2024年1月将长江存储列入在美国运营的“与中国军方有关联的实体”名单，并在今年早些时候重申了这一认定。因此，长江存储被禁止进口含有美国技术的先进半导体设备。
长江存储是中国领先的半导体公司，主要生产和量产NAND闪存。据市场研究公司TrendForce的数据显示，今年第一季度，长江存储（YMTC）在全球NAND闪存市场占有8.1%的份额，排名第六，位列三星电子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光（15.4%）、铠侠（14.6%）和闪迪（12.9%）之后。尽管受到美国监管，长江存储仍在工厂建设方面进行了巨额投资。市场研究公司Omdia预测，长江存储今年的工厂投资将占全球NAND闪存市场份额的20%。
普遍认为，长江存储的快速技术进步，足以让苹果公司考虑在其iPhone手机中使用长江存储的存储器，这促使美国政府采取行动。这种技术进步也导致美国政府加大了对长江存储的压力。在本次投诉中，长江存储（YMTC）声称，美国国防部依赖“过时且不准确的信息”认定其与中国工业和信息化部存在关联，导致其遭受“重大经济和声誉损失”，并失去与美国合作伙伴的业务往来。
长江存储通过自主研发克服了技术限制。具体而言，在全面禁止出口用于制造200层及以上NAND闪存的设备后，长江存储自主研发了“X-Tacking”技术，该技术将多个NAND闪存芯片连接起来，而非逐个堆叠。国内存储半导体公司，例如三星电子和SK海力士，也利用长江存储的专利堆叠技术开发了400层NAND闪存，展现了其技术实力。长江存储宣布计划基于该堆叠技术开发高带宽内存（HBM），与中国DRAM公司长鑫存储（CXMT）一起，成为引领中国存储半导体行业发展的标志性企业。
然而，一些分析人士指出，随着长江存储对尖端设备的需求不断增长，例如NAND闪存容量的提升，其发展可能会受到美国监管的限制。一位半导体行业内部人士表示：“我们通过开发X-Tacking 4技术不断推进自身技术进步，并且率先在NAND闪存中应用了混合键合技术，但由于美国的制裁，我们难以进行大规模的设备投资。这场诉讼将是对长江存储技术实力的一次严峻考验。”
